1) oxidation voltage
氧化电压
1.
It was found that the structure characteristics of AAO were dependent on the choice of factors,such as foil pretreatment,oxidation voltage,electrolyt.
实验结果表明,多孔阳极氧化铝膜结构特性依赖于铝箔预处理、氧化电压、电解液类型和温度等的选择。
2) low voltage oxidation
低电压氧化
4) ZnO varistor
氧化锌压敏电阻
1.
The electric properties of the ZnO varistors made of the powder are evaluated,which indicates that the compound powder is of minor partice size,even distribution,large surface area,and the nonlinerity factor of the varistors is 78.
采用氨浸法制备了氧化锌压敏陶瓷纳米复合粉体,给出了制备粉体的工艺流程,并利用TEM,XRD,EDS,ASAP200物理吸附仪(BET法)及热重-差热分析仪(TG-DTA)对粉体的性能进行了表征,对用该粉料制作的氧化锌压敏电阻作了初步的电性能检测。
2.
The domestic and oversea present situation of preparation technol og y of ZnO varistor powder is discussed.
综述了ZnO压敏电阻粉体制备的国内外研究现状,对不同制备方法的优缺点进行了评析,指出了目前氧化锌压敏电阻粉体制备中存在的问题,并提出了今后的研究发展方向。
3.
The effect of Nd2O3 on voltage and microstructure of ZnO varistor was studied, and the mechanism of the effect was discussed.
研究了微量Nd2O3添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响,并通过SEM测试手段对其微观组织进行了分析。
5) ZnO piezoelectricity films
氧化锌压电薄膜
6) anodic oxidation voltage
阳极氧化电压
1.
5 eV,and the optical constants of the AAO films depended strongly on the anodic oxidation voltage,an important technol.
5eV)半导体的光学特性 ,且其光学常数与制样中的重要工艺参数阳极氧化电压有显著的相关性 ,即随阳极氧化电压的增加 ,AAO薄膜的厚度、折射率和光学能隙变大 ,消光系数减小 。
补充资料：标准操作冲击电压波形(见冲击电压发生器)
标准操作冲击电压波形(见冲击电压发生器)
standard switching impulse voltage waveform
b .oozhun CooZuo ChongJld，onyo boxlng标准操作冲击电压波形(standard switchingimpulse voltage waveform)见冲击电压发生器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条