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1)  in-situ resistivity measurement
原位电阻率测量
2)  in situ sheet resistance
原位方块电阻测量
3)  in situ dynamic measurement of resistance
原位动态电阻测量
4)  resistivity measurement
电阻率测量
5)  incremental resistivity measurement
增量电阻率测量
6)  LWD resistivity log
随钻电阻率测量
补充资料:电阻率测量


电阻率测量
resistivity measurement

电阻率测里resistivity measurement对半导体材料电阻率的测量方法。电阻率是表征半导体材料特性的一个重要电学参数。在一定温度下,半导体电阻率的大小与材料补偿后的杂质浓度有关,因此它是器件设备所需的重要参数。通常固体材料使用电阻率来分类。半导体材料的电阻率范围为10--3一1护牙cm,是介于导体(电阻率小于10--3昆·cm)与绝缘体(电阻率大于1护蕊·cm)之间的一种固体材料。 平行于电流的电场强度E与电流密度j的关系为 E=厉(或j=感)式中p为电阻率。a为电导率,它是电阻率的倒数。 对于某些规则形状的样品(如圆柱形或矩形)的电阻R,与样品长度l成正比,与样品截面积S成反比,关系式为l一s P 一一Rp可通过标准的两探针法测量来获得。对于其它形状或薄层样品,测量电阻率的方法有四探针法、三探针法、扩展电阻法、范德堡法、无接触测量法等。 为了保证电流密度与电场强度之间的线性关系,要求测量在弱电场E毛IV/cm和小电流(避免产生焦耳热)下进行。 四探针法半导体材料电阻率测量中经常采用的一种方法。适用于测量形状不同、厚度均匀的半导体材料,如体材料、异型的外延层、离子注入层、扩散层或多层结构的表面浓度的测量。电阻率测量范围为10一3一103兑·em。 将四根金属探针排成一直线,压在一块任意形状的、半无限大的半导体材料的平坦表面上,如果探针接触处的材料是均匀的,并忽略电流在探针处的少子注入,则当电流I由探针1、4间通过时,由点源叠加原理,探针2、3间的电位差V为 肠,1.厂=~石~一一戈—一卜 ‘7T 511 11乓巍十凡sl+凡式中sl、凡、凡为探针间间距,当51=凡=凡一s时 n,V、户=乙7巧气一下少 l如果样品不是半无限大的半导体时,则由探针流入导体的电流为边界表面反射(非导电边界)或吸收(导电边界),结果分别使电压探针处的电位升高或降低。这时,电阻率的测量值高于或低于材料的真实值,需进行边界条件的修正。 当样品的厚度W《s时,则薄层电阻率为=4 .53.粤.w 1曰“一9曰月一n 7r一心n当样品无限薄时,可视为二维平面,得到常用方块电阻R口_,卫~_ WV汀__J。。
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