1) sapphire
[英]['sæfaɪə(r)] [美]['sæfaɪr]
白宝石
1.
Influence of temperature field on the growing quality of sapphire;
温度场对白宝石晶体生长质量的影响
2.
A single-phaseγ-LiAlO2layer was successfully fabricated on(0001) sapphire by vapor transport equilibration(VTE) technique.
采用气相传输平衡(VTE)技术,在(0001)面白宝石衬底表面上成功地制备出单相-γL iA lO2层。
3.
The strength degradation of single crystal sapphire is mainly attributed to the rhombohedral twinning via c-axis compression.
白宝石高温强度的降低主要是由于c轴方向受到压应力时产生r面双晶所引起的。
2) sapphire crystal
白宝石
1.
High quality sapphire crystal oriented along [0001] was grown by the temperature gradient technique (TGT) and subsequently was fabricated into well double-polished (0001) sapphire wafers.
本文采用导向温梯法 (TGT)生长 [0 0 0 1 ]方向的白宝石晶体 ,利用气相传输平衡 (VTE)技术对晶体表面进行处理 ,发现双面抛光的C面白宝石晶片高温下与富锂 (Li2 O蒸气 )气氛发生反应 ,表面生成一层γ LiAlO2 ,随着VTE反应温度从 75 0℃下降到 730℃ ,γ LiAlO2 晶核的颗粒也随着减小 ,在 730℃时已在 1 μm以下 ,经稀盐酸 (HCl)腐蚀后形成多孔的表面 ,此方法有望制备出用于外延GaN的多孔衬
2.
High quality sapphire crystal oriented along [ 0001 ] was grown by the temperature gradient technique.
采用导向温梯法(TGT)生长出[0001]方向直径为76mm的白宝石晶体。
3) a plane sapphire
a面白宝石
4) leuco sapphire
白蓝宝石
5) gem opal
宝石蛋白石
6) sapphire single crystal
白宝石单晶
1.
The void formation and its micrograph of distribution,density as well as void size in sapphire single crystal grown by EFG were investigated.
研究了导模法生长白宝石单晶过程中，单晶内气孔的产生、分布形态、密度及尺寸。
2.
The crystal structure and its lattice parameter of sapphire single crystal grown by EFG method was determined by selected area diffraction of transmission electron micrograph (TEM).
用透射电镜选区电子衍射（ＴＥＭ）方法测试了导模法生长的白宝石单晶体的晶体结构和点阵常数。
3.
hich affect the formation of defects in sapphire single crystals.
在此基础上实验观察了白宝石单晶中的位错、亚晶界和小品面等缺陷的形态、数量及分布，讨论了生长条件对它们的影响。
补充资料：白宝石晶须
分子式：
CAS号：
性质：纤维状的白宝石单晶体。粗细为微米级。具有高强度（比陶瓷材料高1～2个数量级）。以白宝石为衬底用卤化物作为还原剂由气相生长而成。一般用作增韧补强材料。将它加入金属或高分子材料的耐热性能。
CAS号：
性质：纤维状的白宝石单晶体。粗细为微米级。具有高强度（比陶瓷材料高1～2个数量级）。以白宝石为衬底用卤化物作为还原剂由气相生长而成。一般用作增韧补强材料。将它加入金属或高分子材料的耐热性能。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条