1) SnO_2:F
SnO_2:F
2) SnO_2:F film
SnO_2:F膜
3) SnO_2 :F thin films
SnO_2:F薄膜
4) SnO_2:F conductive thin film
SnO_2:F导电薄膜
5) SnO_2:F+Sb thin film
SnO2:F+Sb薄膜
1.
Fabricated SnO_2∶F+Sb thin films on glass substrate by spray pyrolysis.
采用喷雾热解法在玻璃基板上制备了SnO2∶F+Sb薄膜,对薄膜的结构及性能进行了研究。
6) SiC_xO_y/SnO_2:F/TiO_2
SiCxOy/SnO2:F/TiO2
1.
A triple-layer composite film of SiC_xO_y/SnO_2:F/TiO_2,which combines low-emissivity(low-e) property and photocatalytic activity for the glasscoating,was fabricated.
本文制备了具有低反射率特性和光催化性能的三层复合薄膜SiCxOy/SnO2:F/TiO2。
补充资料：silver-SnO2-WO3 materials
分子式：
CAS号：
性质：银基添加氧化锡和氧化钨的电接触材料。氧化钨(或氧化钼)可改善氧化锡的浸润性，减少接点过热。使用寿命大幅度提高。采用烧结挤压法制造。中等负荷电接触材料，用在各种接触器、电机起动器、低功率断路器等电器中。Ag-11.5SNO2-0.5WO3和Ag-11.2SnO2-0.8MoO3可在很多应用领域代替AgCdO。
CAS号：
性质：银基添加氧化锡和氧化钨的电接触材料。氧化钨(或氧化钼)可改善氧化锡的浸润性，减少接点过热。使用寿命大幅度提高。采用烧结挤压法制造。中等负荷电接触材料，用在各种接触器、电机起动器、低功率断路器等电器中。Ag-11.5SNO2-0.5WO3和Ag-11.2SnO2-0.8MoO3可在很多应用领域代替AgCdO。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。