说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 金属氧化物
1)  metal oxide
金属氧化物
1.
Latest researches in dispersion of metal oxide-supported active components onto surfaces of oxide supports;
负载型金属氧化物活性组元在载体表面分布状态研究进展
2.
Progress on the investigation of titanium anode coated with metal oxide;
钛基金属氧化物涂层电极的研究进展
3.
Study of metal oxide nanofibers by electrospinning technique;
静电纺丝法制备金属氧化物纳米纤维的研究
2)  metal oxides
金属氧化物
1.
Novel solvent-free catalytic oxidation of benzyl alcohol to benzoic acid by metal oxides;
金属氧化物无溶剂催化氧化苯甲醇制备苯甲酸
2.
Physical and chemical processes and mechanism of pulsed laser ablation of metal oxides;
脉冲激光烧蚀金属氧化物的物理化学过程及反应机理
3.
Research progress in metal oxides supercapacitors;
金属氧化物超级电容器的研究进展
3)  metallic oxide
金属氧化物
1.
Determination of Metallic Oxide in Plastic by XRF Spectrometry;
塑料中金属氧化物的XRF分析
2.
A study of impact on the catalytic properties of metallic oxide doping on CaO
金属氧化物掺杂对CaO催化性能影响的研究
3.
The activated coke from lignite was converted by addition of metallic oxide.
采用加入金属氧化物的方法对褐煤活性焦进行改性 ,其中以MnO2 改性的活性焦对碘的吸附率最好 ;含MnO2 1 5%的改性焦在 60~ 1 2 0℃、1 0 0min以内的脱硫效率最佳 ,并大大高于未改性焦的脱硫效率 ;再生 4次后 ,改性焦的吸附性能仍然好于未改性
4)  metal-oxide
金属氧化物
1.
The progress in the research of metal-oxide catalysts used for selective oxidation of propane;
丙烷选择氧化金属氧化物催化剂的研究进展
2.
Recent progress of core/shell metal-oxide nano-composite materials;
核壳型纳米金属氧化物复合材料研究进展
3.
A method is introduced,which mix polyester chip and metal-oxide powder,then spin staple fibre,the fibre has antistatic property as its resistance is 1.
通过在聚酯切片中加入含金属氧化物母粒粉末 ,纺制了永久性防静电纤维 ,其电阻值为 1。
5)  metallic oxides
金属氧化物
1.
Doping metallic oxides may promote gas sensing properties of ZnO greatly.
掺杂金属氧化物可大大提高ZnO的气敏特性,目前对这种性质的研究成为了研究热点。
2.
Doping metallic oxides may promote gas sensing properties of TiO_2$ greatly.
掺杂金属氧化物可显著提高TiO2的气敏这一特性,正逐渐成为研究的热点。
6)  metal-oxide-metal
金属-氧化物-金属
补充资料:N沟道金属-氧化物-半导体集成电路
      以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路,简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难,是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路(见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线,所以有三层布线。铝线同多晶硅线,铝线同扩散线可以交叉(如图左右两侧)。
  
  
  NMOS工艺的特点是:①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准,以减小寄生电容;②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉,既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度,又能降低片子表面台阶的高度,防止铝层断裂;③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
  
  硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位,使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍,NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电,且N沟道MOS晶体管阈值电压较低,所以NMOS电路可与TTL电路(见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容,而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快,其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
  
  

参考书目
   Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak-Sharpe,Integrated Circuit
  Engineering Design,Fabrication and Applications,1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条