1) hole concentration
空穴浓度
1.
P type GaN with high hole concentration (8 28×10 17cm -3) was obtained by annealing at 800℃ for 1h.
样品在 80 0℃退火 1小时后 ,我们获得了空穴浓度达 8 2 8× 1 0 17cm-3 的 p型GaN。
2) hole density
空穴浓度
1.
The hole density in the alloy was determined from the ratio of the intensity of the CPLP mode to that of the unscreened LO mode in the depletion layer.
发现空穴浓度随Mn组分的增加而迅速增加。
3) high hole concentration
高空穴浓度
1.
Investigation of high hole concentration Mg-doped InGaN epilayer;
高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究
4) density caviton
密度空穴
1.
The collapse strong field expels particle out by ponderomotive force and density cavitons form.
强激光与等离子体相互作用时在临界面附近发生强烈的波-波、波-粒相互作用,原来均匀分布的横等离子体波在调制不稳定作用下,发生坍塌破碎,局域化的高强度横等离激元通过有质动力排斥粒子形成密度空穴,同时诱发出高强度的低频磁场。
5) hole density
空穴密度
6) Vacancy concentration
空位浓度
1.
Effect of Vacancy Concentration on Elastic Property in Aluminum under High Pressures;
高压下空位浓度对金属铝弹性性质的影响
2.
Molecular Dynamics method and EAM potential are used to simulate the effect of vacancy concentration on elastic constants of aluminum under high pressures.
对6×6×6、7×7×7、8×8×8、9×9×9各失去一个原子的4种含有不同空位浓度的铝系统的弹性系数进行了模拟,并对同一浓度的缺陷晶体在0~15GPa压强范围的弹性系数进行了计算,发现空位浓度的提高降低了铝的弹性系数,而压强的增大使得缺陷系统的弹性系数越接近相同压强完整晶体的弹性系数。
3.
The results showed that the vacancy concentration was a function of concentration of element and bonding energy of the element.
结果表明 ,合金元素结合的空位浓度的大小与合金元素的浓度、合金元素与空位的结合能有直接的关系 ,Li的加入使得合金中其它元素所占有的空位浓度减小 ,两种试验合金均析出了细小、弥散分布的沉淀相 ,其原因是由于Li原子捕获了不少空位 ,使得Zn、Mg原子的进一步扩散与聚集受到限制 ,η′(MgZn2 )相的长大速度减慢 ,计算结果为试验结果提供了理论依
补充资料：空穴
分子式：
CAS号：
性质：半导体价带中的电子由于被热或光激发到导带中，或被受主型杂质俘获，在价带中留下一个空能级(即失去电子的价键)，称为空穴。当它被邻近原子的价电子占据时，将在邻近产生新的空穴，其效果相当于空穴的移动。人们常把空穴视为在价带中能自由运动、带正电的实体，既简便又确切。
CAS号：
性质：半导体价带中的电子由于被热或光激发到导带中，或被受主型杂质俘获，在价带中留下一个空能级(即失去电子的价键)，称为空穴。当它被邻近原子的价电子占据时，将在邻近产生新的空穴，其效果相当于空穴的移动。人们常把空穴视为在价带中能自由运动、带正电的实体，既简便又确切。
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参考词条