S_2O_8~（2-）/SnO_2-TiO_2,S_2O_8~(2-)/SnO_2-TiO_2,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) S_2O_8~(2-)/SnO_2-TiO_2

S_2O_8~（2-）/SnO_2-TiO_2

2) A/S

A/S

3) S(Ⅳ)

S（Ⅳ）

4) General maximum

S-

5) anti-spoofing(A-S)

A-S

6) S]+

S]+

The doublet potential energy surfaces of [Si, C, S]++ and [Si, C, S]+-systems were investigated by the DFT, QCISD, and CCSD(T) methods.

采用DFT,QCISD及CCSD(T)方法分别对二重态的[Si,C,S]+和[Si,C,S]-体系势能面进行理论计算,用QCISD/6-311+G(d)方法,在[Si,C,S]+和[Si,C,S]-体系中,我们分别得到了2个过渡态连接的3个稳定体和2个过渡态连接的4个稳定体,经热力学及动力学分析发现,[Si,C,S]+体系只有二重态线性的离子[Si—C—S]+可能稳定存在,而[Si,C,S]-体系有二重态线性的离子[Si—C—S]-和三元环c-[SiCS]-可能稳定存在。

参考词条

（s,s）ZX-5 （s,s）-ZX-5 （s,s）策略（s,s）模型 B/W/S/S B/S/S C/S/S C/S+B/S S-S-A模型 S-N-S结 s/I/s结 S-S模型 V-S/L-S S-N-S 专业认证制度沉积成岩演化

补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics

分子式：
CAS号：

性质：在CaO-TiO₂-SiO₂三元系统中以CaSiO₃与TiO₂或以CaTiSiO₅与CaTiO₃为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) S_2O_8~(2-)/SnO_2-TiO_2 S_2O_8~（2-）/SnO_2-TiO_2 2) A/S A/S 3) S(Ⅳ) S（Ⅳ） 4) General maximum S- 5) anti-spoofing(A-S) A-S 6) S]+ S]+ 1. The doublet potential energy surfaces of [Si, C, S]++ and [Si, C, S]+-systems were investigated by the DFT, QCISD, and CCSD(T) methods. 采用DFT,QCISD及CCSD(T)方法分别对二重态的[Si,C,S]+和[Si,C,S]-体系势能面进行理论计算,用QCISD/6-311+G(d)方法,在[Si,C,S]+和[Si,C,S]-体系中,我们分别得到了2个过渡态连接的3个稳定体和2个过渡态连接的4个稳定体,经热力学及动力学分析发现,[Si,C,S]+体系只有二重态线性的离子[Si—C—S]+可能稳定存在,而[Si,C,S]-体系有二重态线性的离子[Si—C—S]-和三元环c-[SiCS]-可能稳定存在。参考词条（s,s）ZX-5 （s,s）-ZX-5 （s,s）策略（s,s）模型 B/W/S/S B/S/S C/S/S C/S+B/S S-S-A模型 S-N-S结 s/I/s结 S-S模型 V-S/L-S S-N-S 专业认证制度沉积成岩演化补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics 分子式： CAS号：性质：在CaO-TiO₂-SiO₂三元系统中以CaSiO₃与TiO₂或以CaTiSiO₅与CaTiO₃为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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