1) heterojunction
[,hetərə'dʒʌŋkʃən]
异质结
1.
Photocatalytic Activity and Mechanism of Heterojunction Thin Films;
异质结型光催化膜的活性及其机理研究
2.
Photovoltage Property about Heterojunction Composite Film with 1,4-bis(ferrocene) Thiophene and SnO_2 Nanoparticles;
1,4-双二茂铁噻吩/纳米二氧化锡异质结光伏性质研究
3.
Electron Spectroscopy Studies of the High Quality CeO_2/Si Heterojunction Fabrication;
电子能谱研究生长高质量CeO_2/Si异质结
2) heterostructure
[,hetərəu'strʌktʃə]
异质结
1.
Analysis of band gap in honeycomb photonic crystal heterostructure;
六角蜂窝结构光子晶体异质结带隙特性研究
2.
Guide modes at interface of photonic crystal heterostructures composed of different lattices;
不同晶格光子晶体异质结的界面传导模
3.
Fabrication of Epitaxial La-Sr-Co-O/Pb-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O Heterostructure on Si Wafer;
硅基外延La-Sr-Co-O/Pb-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O异质结的制备
3) heterojunctions
异质结
1.
Atomic scale controlled epitaxial growth and charaterization investigation of perovskite oxide films and heterojunctions;
钙钛矿氧化物薄膜和异质结的外延生长与物性研究
2.
Acoustic-phonon transmission in multilayer heterojunctions;
多层异质结构中的声学声子输运
3.
The enhancement may be attributed to the efficient absorption spectrum from near infrared till ultraviolet light of the double heterojunctions of TiO2/PS/p-Si and the effective separation of the photoproduced electron--hole pairs due to the increme.
首次在多孔硅 （ＰＳ）的表面镀纳米二氧化钛 （ＴｉＯ２）薄膜，表面光电压谱 （ＳＰＳ）测试表明：镀膜后多孔硅的光电压信号增强约２～３个数量级，其原因可能是双异质结构ＴｉＯ２／ＰＳ／ｐ－Ｓｉ能有效地吸收近红外一直到紫外光，并且近本征的多孔硅自建电场增大，使光生电子－空穴对能有效地分离；ＰＳ／ｐ－Ｓｉ之间的势垒差产生的阻止少于向电极扩散的背向电场，也能有效地增强光生电压。
4) heterostructures
异质结
1.
Wet chemical etching of InGaAs/InAlAs heterostructures using phosphoric acid/hydrogen peroxide solution;
InGaAs/InAlAs异质结的H_3PO_4/H_2O_2系的湿法腐蚀
2.
Within the framework of the dielectric-continuum model and Loudon s uniaxial crystal model,the equations of motion for p-polarization field in arbitrary wurtzite multiplayer symmetry heterostructures are solved for the quasi-confined phonon(QC) modes.
在介电连续模型下,得出多层对称纤锌矿结构异质结、量子阱中的准受限声子的P-本征极化模,色散关系和电子与准受限声子相互作用的哈密顿量。
3.
The contents include the following sections:(1)Photonic band gap (PBG) structures of two-dimensional magnetic photonic crystals (MPCs) in square lattice;(2)Guide modes in MPCs heterostructures in two-dimensional square lattices;(3)The density of states and local density of states of two-dimensional photonic crystals composed of circular cylinders in square lattice.
其次，构造了新的混合型磁性光子晶体异质结，其中散射子的形状分别为：长方形，正方形，六角形和圆形。
5) heterojuction
异质结
1.
Thin films of Zn x Cd 1- x S and Zn x Cd 1- x S/CdTe heterojuction solar cells are prepared by screen printed methods.
采用丝网印刷方法制备了不同配比的ＺｎｘＣｄ１－ｘＳ多晶薄膜及异质结太阳电池。
2.
Considering the energy bandbending effect near the interface in a Zn 1-x Cd xSe/ZnSe heterojuction , we adopt a quasi 2D model to discuss the relation between the ground state energy , the effective mass of an interface polaron and the electron areal density , Cd composition .
采用准二维模型计及 Zn1-x Cdx Se/Zn Se半导体异质结界面附近的能带弯曲效应 ,讨论了异质结界面极化子的基态能量 ,有效质量随电子面密度以及 Cd组份的变化关系 。
6) heterojunction
[,hetərə'dʒʌŋkʃən]
异质结构
1.
The heterojunction TiO2/Fe2O3 composite films were prepared by sol-gel method.
采用溶胶-凝胶法制备了TiO2/Fe2O3异质结构的复合薄膜,运用XRD、AFM、紫外-可见光投射光谱等对薄膜的微结构、透光率及其光催化特性进行了表征,分析了薄膜结构对光催化性能的影响,并就可见光催化机理进行了探索。
补充资料：异质结
一种半导体材料生长在另一种半导体材料上所形成的接触过渡区称谓异质结，依照二种材料的导电类型分为同型异质结(Pp或Nn)或异型（Pn或Np）异质结，多层异质结则称为异质结构。
1949年W.肖克莱发明晶体管时就曾设想过利用异质结宽带隙发射极单向注入的特点提高发射极的注入比，从而企望获得更大的晶体管电流放大系数，但大量的实验研究工作则开始于60年代初期外延生长技术发展之后。
至少有三十种以上的异质结对材料被研究过，按其二种材料点阵常数 a的失配程度分为二类，即匹配型异质结和失配型异质结，前者以 GaAs/Ge为代表，后者以Ge/Si为代表，其失配度Δa/a0(a0表示基质材料的点阵常数,Δa为异质二材料点阵常数的差值)分别为0.08％和4.1％，相应的失配悬挂键密度为1012cm-1及1013cm-1 通常以1013cm-1悬挂键密度作为大致区分这二种类型异质结的界限。
目前三元系、四元系固溶体材料外延生长技术的发展已使得从实验上可得到接近理想匹配的异质结。
由于二种异质材料具有不同的物理化学参数（例如电子亲和势、带结构、介电常数和点阵常数等），因而导致在接触界面处产生了各种物理化学属性的失配，使异质结具有许多不同于同质PN结的新特性。例如，在光学方面异质结具有窗口效应、波导效应，在电学方面则有单向注入效应和对注入载流子的空间局域限制效应等，因此近20年来对异质结材料和器件的研究工作非常活跃，尤以Ⅲ-Ⅴ族材料异质结光电子器件为最,其代表性成就为室温连续波工作寿命达百万小时的 AlGaAs/GaAs双异质结激光器(DHLD)的问世，促使了大容量光纤通信的研究工作进入工程实用阶段。另一卓越成就则是目前引人注目地对调制掺杂场效应晶体管的研究,它采用AlGaAs/GaAs异质结构高低掺杂复合沟道, 注入载流子的输运是在带隙较小的高纯GaAs材料中，它的迁移率很高，沟道中大量载流子的来源则由带隙较高的高掺杂的AlGaAs提供，解决了高传输速率和低内阻抗的矛盾，使器件响应速度达到皮(10-12)秒量级，可与目前超导约瑟夫森结器件（见约瑟夫森效应）相媲美。另一活跃的异质结研究课题即量子尺寸超薄层异质结构激光器，人们称为量子阱激光器，它有很多新特点，例如谱线很窄，温度系数很小，可调谐等。总之它是一种新颖的量子效应功能器件。
1949年W.肖克莱发明晶体管时就曾设想过利用异质结宽带隙发射极单向注入的特点提高发射极的注入比，从而企望获得更大的晶体管电流放大系数，但大量的实验研究工作则开始于60年代初期外延生长技术发展之后。
至少有三十种以上的异质结对材料被研究过，按其二种材料点阵常数 a的失配程度分为二类，即匹配型异质结和失配型异质结，前者以 GaAs/Ge为代表，后者以Ge/Si为代表，其失配度Δa/a0(a0表示基质材料的点阵常数,Δa为异质二材料点阵常数的差值)分别为0.08％和4.1％，相应的失配悬挂键密度为1012cm-1及1013cm-1 通常以1013cm-1悬挂键密度作为大致区分这二种类型异质结的界限。
目前三元系、四元系固溶体材料外延生长技术的发展已使得从实验上可得到接近理想匹配的异质结。
由于二种异质材料具有不同的物理化学参数（例如电子亲和势、带结构、介电常数和点阵常数等），因而导致在接触界面处产生了各种物理化学属性的失配，使异质结具有许多不同于同质PN结的新特性。例如，在光学方面异质结具有窗口效应、波导效应，在电学方面则有单向注入效应和对注入载流子的空间局域限制效应等，因此近20年来对异质结材料和器件的研究工作非常活跃，尤以Ⅲ-Ⅴ族材料异质结光电子器件为最,其代表性成就为室温连续波工作寿命达百万小时的 AlGaAs/GaAs双异质结激光器(DHLD)的问世，促使了大容量光纤通信的研究工作进入工程实用阶段。另一卓越成就则是目前引人注目地对调制掺杂场效应晶体管的研究,它采用AlGaAs/GaAs异质结构高低掺杂复合沟道, 注入载流子的输运是在带隙较小的高纯GaAs材料中，它的迁移率很高，沟道中大量载流子的来源则由带隙较高的高掺杂的AlGaAs提供，解决了高传输速率和低内阻抗的矛盾，使器件响应速度达到皮(10-12)秒量级，可与目前超导约瑟夫森结器件（见约瑟夫森效应）相媲美。另一活跃的异质结研究课题即量子尺寸超薄层异质结构激光器，人们称为量子阱激光器，它有很多新特点，例如谱线很窄，温度系数很小，可调谐等。总之它是一种新颖的量子效应功能器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条