说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 相界扩散
1)  phase boundary diffusion
相界扩散
2)  LID bonding
液相界面扩散连接
3)  interface diffusion
界面扩散
1.
The antiferromagnetic coupling and interface diffusion in Fe/Si multilayers;
Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散
2.
In order to clarify the scale-dependent interface diffusion behavior,the resistivity (ρ) and the specular reflection coefficient (P) of Ni/Al nanomultilayers deposited by magnetron sputtering as a function of the periodic number (n),Ni/Al modulated ratio (R) and modulated period (L) have been characterized by Fuchs-Sondheimer (FS)-Mayadas-Shatzkes (MS) model.
采用FS-MS模型研究了Ni/Al纳米多层膜的薄膜电阻率ρ及镜面反射系数P随周期数n、Ni/Al调制比R和调制波长L的演变规律,从而表征了多层膜界面扩散行为的尺度依赖性。
4)  grain boundary diffusion
晶界扩散
1.
In this paper,the contact reaction between Aluminum and Copper and its liquid phase behavior were studied by means of experiment simulation and analysis based on the theory of surface and grain boundary diffusion in metallurgy.
采用模拟的方法 ,系统研究了Al/Cu接触反应及其液相行为的特点 ,并运用金属学中表面扩散和晶界扩散等理论进行了理论探讨。
2.
The shrinkage given by coupling model is less than that given by the model only considering grain boundary diffusion and v.
结果表明:在相同条件下,多机制综合作用颈长方程略高于表面扩散机制单独起作用的颈长方程;多机制综合作用的对心收缩小于只考虑晶界扩散和体积扩散的对心收缩。
3.
It means the creep induced by grain boundary diffusion under the condition of high temperature.
Coble蠕变本来是一个比较经典的问题,指在高温作用下由晶界扩散引起的蠕变。
5)  interfacial diffusion
界面扩散
1.
Nonlinear Kinetics Theory for Interfacial Diffusion in Nanometer-scale Multilayers;
纳米多层薄膜界面扩散的非线性动力学理论研究
2.
The plate model and tube model for analyzing the interfacial diffusion were proposed and the plate model was adopted to test the diffusion.
采用Ni-Fe-C填充材料对WC-30Co硬质合金与45钢的钨极氩弧(TIG)焊进行了研究,观察分析了焊接接头的组织形貌,提出了块体界面扩散的板片模型和管道模型,并采用板片模型对WC-30Co硬质合金与钢TIG焊焊接的WC-30Co/焊缝界面的各元素的扩散行为进行了分析。
3.
The fundamental of electromigration,the phenomenon of electromigration failure,the failure mechanism,the micro-effects and the dominant failure mechanism-interfacial diffusion are introduced.
论述了近年来铜互连电迁移可靠性的研究进展,讨论了电迁移的基本原理、失效现象及其相关机制和微效应以及主导失效的机制——界面扩散等,同时探讨了改善铜互连电迁移性能的各种方法,主要有铜合金、增加金属覆盖层及等离子体表面处理等方法,并指出了Cu互连电迁移可靠性研究有待解决的问题。
6)  critical spreading
临界扩散
补充资料:相界
      由结构不同或结构相同而点阵参数不同的两块晶体相交接而形成的界面。沉淀相与基体间、外延层与衬底间、马氏体与母相间的界面均为相界。其中,两晶相间无一定位相关系者称非共格相界;两晶相同保持一定位相关系,且沿界面有相同或相近原子排列者,称共格或准共格相界。C.S.史密斯曾经对非共格相界的能量进行过估计,结果表明其量级不大于大角度晶界。
  
  由于相界与晶体完整性、相变过程以及其他许多性质间存在密切关系,尤其是准共格相界在外延生长及马氏体相变中的实际重要性,人们对相界的结构进行了深入研究,F.C.夫兰克等用一简化模型进行理论处理,结果表明:当界面处两晶相的错配度甚小时,以纯弹性应变的方式容纳错配;当错配度较大时,则需引入相应的错配位错行列或网络以弛豫错配引起的大部分弹性畸变,形成错配位错界面。模型所预期的结果不仅为皂泡筏模型(见图)的观测结果所证实,而且由此模型出发对一些实际问题计算所得的结果,也已为近年来的电子显微镜直接观测结果所进一步确证。此外,人们还利用这一理论结果,人为地控制减小错配度,在控制错配位错的分布或消除错配位错方面取得了初步成功。
  
  

参考书目
   J.M.Matthews,Misfit Dislocations,F.R.N.Nabarro,ed.,Dislocations in Solids, Vo1.2,North-Holland,Amsterdam,1979.
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条