1) Pt/TiO_2
Pt/TiO2
1.
Pt/TiO_2 was obtained by photo-reduction.
光催化结果表明Pt/TiO2的光催化活性比纳米TiO2大大提高,用荧光光谱讨论了Pt/TiO2光催化活性提高的机理。
2.
Photocatalytic Hydrogen Generation Using Glucose and Sucrose as Electron Donors over Pt/TiO_2;
因此,本文以Pt/TiO2为催化剂,研究了以葡萄糖和蔗糖为电子给体的光催化制氢反应以及有机物自身的去除效果。
2) Pt / InVO4 / TiO2
Pt/InVO4/TiO2
1.
The Pt / InVO4 / TiO2 nano-crystalline photocatalyst was prepared by sol-gel method and characterized by DRS and XRD.
采用溶胶-凝胶法制备了Pt/InVO4/TiO2三元体系可见光催化剂。
3) Pt-TiO 2/Ti electrode
Pt-TiO2/Ti电极
4) Ti/TiO2-Pt electrode
Ti/TiO2-Pt修饰电极
5) Pt dopant nano-TiO2
Pt掺杂纳米TiO2
6) nano-TiO_2-Pt electrode
纳米TiO2-Pt电极
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条