1) TiO2/Al2O3 films
TiO2/Al2O3薄膜
1.
Anatase TiO2 and TiO2/Al2O3 films were successfully prepared on foam nickel substrates by sol-gel technique.
研究表明:泡沫镍负载的TiO2和TiO2／Al2O3薄膜具有良好的光催化活性,特别是TiO2／Al2O3薄膜具有更高的催化活性。
2) Al2O3-TiO2 compound thin films
Al2O3-TiO2复合薄膜
3) TiO_2/ Al_2O_3 composite film
TiO2/Al2O3复合膜
4) Al_2O_3-TiO_2 composite films
Al2O3-TiO2复合膜
5) alumina film
Al2O3薄膜
1.
Thin alumina films were deposited on the heat-resistant steel,type HP40.
以仲丁醇铝(ATSB)为前驱物、氮气为载气,用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在HP40钢表面沉积了Al2O3薄膜。
6) γ-Al2O3 thin film
γ-Al2O3薄膜
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条