1) Cr/Si-2
Cr/Si-2
1.
Effect of Preparation Methods on the Performance of Cr/Si-2 Catalysts during the Dehydrogenation of Ethane to Ethylene with CO_2;
制备方法对Cr/Si-2催化剂在CO_2氧化乙烷脱氢制乙烯反应中的催化性能的影响
补充资料：Cr-Si thin film resistor
分子式：
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。