1) S-W potential
S-W势
2) browser/web server/application server/database server
B/W/S/S
3) S/W/O/W method
S/W/O/W法
1.
Therefore,using S/W/O/W method and adding additives HAP and HPB in the formulation could decrease the initial burst release of drugs from the microspheres and increase the encapsulation capacity of the BSA-PLG microspheres,the in-vitro release profiles of which were fitted into near zero order release kinetics.
结果表明,采用S/W/O/W法所得微球粒径为40~70μm,表面光滑圆整。
4) Waxman Smiths equation
W-S方程
5) S W effect
S-W效应
6) W-S model
W-S模型
1.
The computing results obtained by the expression show the theory accords with W-S model.
利用此公式进行了理论计算,计算结果表明该理论与W-S模型有较好的一致性。
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条