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1)  microcrystalline silicon
微晶硅
1.
Role of gas residence time in the deposition rate and properties of microcrystalline silicon films;
气体滞留时间对高速沉积的微晶硅薄膜性能的影响分析
2.
The study and application of 2-D model for microcrystalline silicon thin film;
二维流体模型的建立及其在微晶硅薄膜中的应用
3.
Influence of light exposure and applied bias on the conductivity of microcrystalline silicon films at room temperature;
光照和偏压对微晶硅薄膜室温电导的影响
2)  silicon micro-crystalline grain
硅微晶
3)  nicrocrystalline silicon-germanium (μc-SiGe)
微晶硅锗
4)  silicon micron whisker
硅微米晶须
1.
Effects of ambient pressure on the growth of silicon nanowire and silicon micron whiskers;
环境压力对硅纳米线及硅微米晶须生长的影响
5)  intrinsic microcrystalline silicon
本征微晶硅
6)  microcrystalline silicon thin film
微晶硅薄膜
1.
We also discussed the growth mechanism of the microcrystalline silicon thin films from the aspect .
实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜。
2.
Non-uniformity of microcrystalline silicon thin film deposited by VHF-PECVD along the growth direction was studied.
本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。
3.
The crystallization affected by annealing studied on microcrystalline silicon thin films fabricated on tantalum;
获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数。
补充资料:微晶硅
分子式:
CAS号:

性质:又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅,又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV),电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法,减压化学沉积法,磁控溅射法,非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。

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参考词条