1) very-high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition
超高频等离子体增强化学气相沉积
1.
Deposition of μc-Si:H films at a high rate was investigated using very-high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) in this paper.
采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,实现了微晶硅硅薄膜的高速沉积,并通过改变气体总流量改变气体滞留时间,考察了气体滞留时间在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率以及光电特性和结构特性的影响。
2) very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition
甚高频等离子体增强化学气相沉积
1.
Study of space voltage distribution between large-area parallel-plate electrodes for very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition;
甚高频等离子体增强化学气相沉积大面积平行板电极间真空电势差分布研究
2.
In the process of the high growth rate μc-Si:H film deposited by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(VHF-PECVD),the high energy ion impinging on the growing surface could deteriorate the device performance.
在采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速沉积微晶硅(μc-Si:H)太阳电池过程中,产生的高能离子对薄膜表面的轰击作用会降低薄膜质量和破坏p型掺杂层(p层)与本征层(i层)之间的界面特性。
3.
The deposition parameters of hydrogenated microcrystalline silicon(μc-Si:H)films were optimized for two factors,the siliane concentration and total flow rate,under high deposition power density and high deposition pressure by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(VHF-PECVD).
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在高功率密度和高压强条件下,通过改变硅烷浓度和气体总流量对薄膜沉积参数进行了两因素优化,最终在硅烷浓度为4。
3) VHF-PECVD
甚高频等离子体增强化学气相沉积
1.
A series of microcrystalline silicon thin films were fabricated by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) at different silane concentrations in a P chamber.
在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积( VHF-PECVD)技术,制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜。
2.
Finally, high-quality microcrystalline silicon (μc-Si:H ) materials and relatively high efficiency solar cells using very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) were prepared in a single chamber.
本文在单室中采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,以降低单室沉积工艺中的界面污染和提高单室沉积微晶硅电池的性能为目标,详细研究了单室沉积中的交叉污染问题、不同处理硼污染的方法及其在微晶硅电池中的初步应用。
3.
A series of microcrystalline silicon thin films were fabricated by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) in a single-chamber under different boron-contamination conditions.
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同腔室环境下的微晶硅薄膜。
4) very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition
甚高频等离子体增强化学气相沉积
1.
A series of microcrystalline silicon thin films were fabricated by very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition at different substrate temperatures (T_s).
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜。
2.
Microcrystalline silicon solar cells with the variation of silane concentration (SC) and discharge power were fabricated by very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition.
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 。
5) very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition
甚高频等离子增强化学气相沉积
1.
Several series of hydrogenated silicon films were prepared by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(VHF-PECVD) with various silane concentrations.
本文采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,通过调节硅烷浓度,获得了系列硅薄膜材料,并用拉曼散射光谱和X射线衍射光谱对材料的结构特性进行了测试分析,同时还使用原子力显微镜观察比较了薄膜的表面形貌。
6) VHF-PECVD
甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)
1.
This paper studies the deposition of the transition p layer (from microcrystalline phase to amorphous phase) as window layer in high-rate deposition of amorphous silicon thin film solar cells by using very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(VHF-PECVD).
研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。
补充资料：等离子体工作气
等离子体工作气
plasma gas
dengliziti gongZuoqi等离子体工作气(plasma gas)常规气体吸收高能量后，由分子成为原子，直至电离成电导率很高的准中性气体。 电离过程等离子工作气中存在电子、离子和中性粒子。带电粒子是通过各种电离过程由气体自身产生的。电离过程可由高能辐射和粒子剧烈碰撞产生，其自由电荷的浓度取决于气体中所含能量。在电离强度高时，气体中的中性粒子可完全电离。例如氢在达到20000K时就可达到这种状态。不同气体电离所需的最小能量不同，它和该气体的电离电位成正比。常见工业气体的第一次电离电位(eV):Ar，15·775;He，24·58;H，13.595;N，14.54;O，13.614。可见不同气体的电离电位相差不远，但比金属为高。气体中只有He的电离电位高，图l表达了这一趋势，也表明常规气体的等离子体的电导率在6000K时已与金属相近。不同气体电弧所要求的电压不同，这取决于诸多因素.不能简单认为易电离气体的电弧电压就低。一般地说用同类工业等离子体发生幕，氨弧电压最低，氮、氧和氢弧电压则高。对于工业发生器来说，希望能有较高电压以便于传送较大功率而不使电流值过大。 {)厂7厂刁 EI谙1一~-弄一一H，l 口l几r月I尸I bl】11 11 !O于t一卫」工土——土一一一一一一一」 0 .1以X旧2《冷阅30(曰】 TIK 图1大气下氢、藏、氮、氰等离子体的电导率 (司与温度(T)的关系 等离子体工作气的化学性质除更活泼外，无根本变化，人们更多注意其传输性能，主要方面有:宏观传输—扩散;电荷传输—电导率;动量传输—钻度;能量传输—热导率。其电导率已示于图1。等离子体气由于高温，豁度极大(示于图2)，约为常温气体的10倍，因此气体的混合或固体粒子注入等离子体射流是困难的。用工程观点评述等离子体工作气则认为，它不仅是一种高温、纯净、高效的新热源;而且具有气氛可控、温度(焙值)可控、磁可控三大特性，在高温工程领域有广泛应用前景。 4oo口一一一万声又一{ 引洲)卜Z几、l 芝200犷力7\\} 氛}///V‘l ’阅谬.不…义斗__{ 0 500010以阅!50002仪圈)250以】 TIK 图2大气压下氢、氢、氮、氦等离子体彩度 (产)和温度(T)的关系 今考书目 Jerome Feinman，Plasma teehnology in metallurgiealproeessing，Iron and Steel Soeiety Ine.，AIME，1987. (王本榕)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条