1) pulsed laser ablation
脉冲激光烧蚀
1.
Determination of the region where Si nanoparticles form during pulsed laser ablation;
脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核区位置的确定
2.
Influence of the ambient pressure of Ar on the average size of Si nanoparticles deposited by pulsed laser ablation;
Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响
3.
In argon (Ar) gas, nanocrystalline silicon films are prepared by pulsed laser ablation.
采用脉冲激光烧蚀技术在氩气环境下制备了纳米硅薄膜,研究了环境气体压强对纳米硅薄膜表面形貌的影响。
3) laser ablation
激光烧蚀
1.
Progress in application of laser ablation inductively coupled plasma mass spectrometry in metallurgical analysis;
激光烧蚀进样电感耦合等离子体质谱法在冶金分析中的应用进展
2.
Ag nanoparticles colloids produced by pulsed laser ablation in distilled water;
蒸馏水中采用脉冲激光烧蚀制备Ag纳米粒子胶体
3.
Progress of quasi-one-dimension nanomaterials synthesized by laser ablation;
激光烧蚀法制备准一维纳米材料
4) laser ablating
激光烧蚀
1.
The material can also be PMMA when laser ablating is adopted.
分别简要地介绍了硅、玻璃和石英基片的机械加工法、光刻和蚀刻法与高分子基片的激光烧蚀法制备微流器件的原理和方法,以及实验结果。
2.
Several amorphic carbon films with different thickness were deposited on singlecrystal silicon by means of pulse laser ablating graphet target.
用激光烧蚀石墨靶方法在单晶硅衬底表面沉积了不同厚度的非晶碳膜。
3.
Several amorphic carbon films with different thickness were deposited on single crystal silicon by means of pulse laser ablating graphet target at room temprature.
在室温下 ,用激光烧蚀石墨靶方法在单晶硅衬底表面沉积了不同厚度的非晶碳膜。
6) single pulse ablation
单脉冲烧蚀
补充资料：激光烧蚀
分子式：
CAS号：
性质： 是电感偶合等离子体质谱(ICP-MS)联用仪器中用来分析固体样品的一种进样方式。固体样品制成片状置于样品台上，样品表面处于激光束聚焦点上。使用红宝石激光器。一次0.5J的激光轰击，能在样品上产生一个直径为0.5mm，深0.5mm的小坑，消耗样品0.2mg。让等离子体注射气流流过样品表面，再经一导管导入等离子炬，样品在焰炬中即可电离。激光烧蚀所用激光器为大功率、高重复激光器，大面积采样。这样采样均匀性好，而且不受样品种类限制。采用激光烧蚀质谱技术，可以对样品微区进行分析。
CAS号：
性质： 是电感偶合等离子体质谱(ICP-MS)联用仪器中用来分析固体样品的一种进样方式。固体样品制成片状置于样品台上，样品表面处于激光束聚焦点上。使用红宝石激光器。一次0.5J的激光轰击，能在样品上产生一个直径为0.5mm，深0.5mm的小坑，消耗样品0.2mg。让等离子体注射气流流过样品表面，再经一导管导入等离子炬，样品在焰炬中即可电离。激光烧蚀所用激光器为大功率、高重复激光器，大面积采样。这样采样均匀性好，而且不受样品种类限制。采用激光烧蚀质谱技术，可以对样品微区进行分析。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条