2) TiN film
氮化钛膜
1.
Effect on substrate-film adherence of TiN film enhanced plasma nitriding;
等离子体渗氮与氮化钛膜沉积一体化工艺对膜基结合力的影响
3) TiN coating
氮化钛膜
1.
Influence of TiN coating on bacteria adhesion of Ti surface;
氮化钛膜对纯钛表面细菌黏附能力的影响
2.
Objective To compare the changes of wettability、topography and energy spectroscopy before and after TiN coating on Co-Cr alloy and Ni-Cr alloy surface in vitro.
方法制作钴铬、镍铬合金各16件,随机各选出8件,采用多弧离子镀法在其表面沉积氮化钛膜,分为未镀膜组和镀膜组。
5) SiN film
氮化硅膜
6) aluminium nitride film
氮化铝膜
补充资料：氮化硅膜
分子式：
CAS号：
性质： 硅氮化合物的薄膜。可用化学气相沉积和溅射法制备，通常采用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备，沉积温度低于300℃。由于Si3N4具有高硬度(块体硬度HV l7.2GPa)和优良的化学稳定性，它是很受重视的耐磨抗蚀膜，常用作微电子技术电绝缘层。但因Si3N4膨胀系数低，当沉积在金属基材上时，产生较大的界面应力，对基体附着差。
CAS号：
性质： 硅氮化合物的薄膜。可用化学气相沉积和溅射法制备，通常采用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备，沉积温度低于300℃。由于Si3N4具有高硬度(块体硬度HV l7.2GPa)和优良的化学稳定性，它是很受重视的耐磨抗蚀膜，常用作微电子技术电绝缘层。但因Si3N4膨胀系数低，当沉积在金属基材上时，产生较大的界面应力，对基体附着差。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条