1) (GaP)n and (GaP)-n clusters
(GaP)n和(GaP)n-团簇
2) N-type GaP
N型Gap
3) (CdSe)n and(HgTe)n clusters
(CdSe)n和(HgTe)n团簇
4) (CdS)n and (CdTe)n clusters
(CdS)n和(CdTe)n团簇
5) (AlN) n clusters
(AlN)n团簇
6) La 2C n cluster
La_2C~n团簇
补充资料：gallium phosphide single crystal GaP
分子式：
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。密度4.1297g/cm3。熔点1467℃。为间接带隙半导体，室温禁带宽度为2.26eV，本征载流子浓度2.7×106/m3。少数载流子寿命10-3～10-4μs。采用区熔或直拉法制备单晶。为可见光发光材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。密度4.1297g/cm3。熔点1467℃。为间接带隙半导体，室温禁带宽度为2.26eV，本征载流子浓度2.7×106/m3。少数载流子寿命10-3～10-4μs。采用区熔或直拉法制备单晶。为可见光发光材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条