1) TCR
电阻温度系数
1.
Study on the Resistivity and TCR of P-doped a-Si∶H Thin Films;
掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究
2.
Modulation of TCR for VO_2 Thin Film by Changing Preparation Parameters;
利用制备参数的改变调整VO_2薄膜的电阻温度系数
3.
Effect of Oleic-acid on TCR of La_0.7(Ca_0.53Sr_0.47)_0.3MnO_3 Polycrystals Prepared by Chemical Coprecipitation Method;
油酸对化学共沉淀法制备La_0.7(Ca_0.53Sr_0.47)_0.3MnO_3多晶的电阻温度系数的影响
2) temperature coefficient of resistance
电阻温度系数
1.
Besides,variation of the temperature coefficient of resistance is discussed.
本文研究了热喷涂分解法制备Sb:SnO2电热膜的工艺及基体对电热膜电学性能的影响,并讨论了该膜的电阻温度系数的变化。
2.
Vanadium oxide thin films with high temperature coefficient of resistance(TCR)were deposited on glass substrates at room temperature by direct current facing targets magnetron sputtering.
常温下用直流对靶磁控溅射的方法在玻璃基片上制备出了高电阻温度系数(TCR)氧化钒薄膜。
3.
The test result shows that the square resistance and the temperature coefficient of resistance(TCR) of the VO x thin film are 50KΩ and -0.
测试结果表明 :氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数 (TCR)在 2 0℃分别为 5 0KΩ和 - 0 。
3) resistance temperature coefficient
电阻温度系数
1.
The microstructure of YBCO film was analyzed by XRD and the resistance temperature coefficient(RTC) values, Hall effect and Raman shift.
进行了X射线衍射(XRD)分析 ,电阻温度系数 (RTC)和Hall系数测试 ,并进行Raman散射的微观分析实验 ,认为该半导体薄膜可用作室温工作的红外测辐射热计 (Bolometer)灵敏元 。
2.
It leads to the resistance temperature coefficient is smaller than in bulk.
随着厚度增加,薄膜的电导率,热导率和电阻温度系数都增加。
4) temperature coefficient of resistance(TCR)
电阻温度系数
1.
The effect of sputtering conditions on temperature coefficient of resistance(TCR) is analyzed by orthogonal experiment,and the optimum process recipes are achieved,including Ar∶O2=48∶0.
利用对靶磁控溅射法在玻璃基片上制备VOx薄膜,采用正交实验方法研究了镀膜条件对VOx薄膜电阻温度系数(TCR)的影响,得到优化的镀膜工艺参数,主要包括Ar∶O2为48∶0。
2.
The temperature coefficient of resistance(TCR) of these samples have been studied.
7)多晶材料,研究了它们的电阻温度系数(TCR)。
5) temperature coefficient of resistance (TCR)
电阻温度系数
1.
3)MnO (000x070) on the temperature coefficient of resistance (TCR) was investigated.
3MnO3(0 00 x 0 70)电阻温度系数(TCR)的影响。
2.
60), the effect of Sm doping at La site on the temperature coefficient of resistance (TCR) was investigated.
6 0 )体系的M～T曲线和ρ～T曲线,研究了La位Sm掺杂对体系电阻温度系数(TCR)的影响。
3.
As the detecting material of uncooled infrared detectors, vanadium oxide (VOX) thin films need high temperature coefficient of resistance (TCR) and suitable film resistance for using of the device.
氧化钒薄膜作为非制冷红外探测器的热敏材料,要求具有高的电阻温度系数(TCR)与合适的电阻值,以满足器件的应用。
6) negative temperature coefficient of resistance
负电阻温度系数
补充资料：电阻温度表
电阻温度表
resistance thermometer
R、二、n，_一。一二rr，户，二。。，，、-一、尸:一认生RZ，R3和R、是两个固定电阻，比值不变. R4“乙’“J，门““~r，’犷幼~’目’~，“.以’~’R:是感温金属电阻，R:是可调电阻，检流计是指示平衡状态用的。当温度改变时，RT随着发生变化，电桥失去平衡，通过改变RZ的数值使电桥达到新的平衡，因而能在RZ上直接指示出温度数值。 电阻温度表的主要优点是它的性能较稳定，线性度好，与其它感温元件相比，能通过较大的电流。它的主要缺点是温度系数小，灵敏度较低，精度易受延引导线长度和环境温度变化的影响，曾用等臂电桥的三导线法补偿电路来消除这种误差，但仍不能进一步提高电阻温度表的精度，因而遥测距离受到一定的限制」(洪声沦)d ianzu wGndublaO电阻温度表(resistanee thermometer)利用金属导体的电阻随温度变化的特性来测定温度的仪器。金属导体的电阻随温度升高而增大，它与温度的变化关系叮用一F式表示: R，一R‘，〔l一+a(t一t。)+刀(z一l《，)“〕式中R，为上限温度t时的电阻值;R。为下限温度t(。~OOC时的电阻值;a和刀均为电阻温度系数，它们取决于导体的材料性质和温度范围，当测温范围不大时，一般情况下可忽略上式中的二次方项。下表为某些金属在常温下的a值。从稳定性的角度看，铂最 某些金属在常温下的a值┌────┬───┬───┬─┬───┬─┐│金属名称│铜 │银 │铂│镍 │铁│├────┼───┼───┼─┼───┼─┤│a火1弋14│牛2.吕│l().4 │35│f二吸)│62│└────┴───┴───┴─┴───┴─┘好，所以许多金属温度表都选用铂丝制作测温元件，这种温度表叫铂电阻温度表。精密的温度标准仪器多采用铂电阻温度表。其次是金，银的导电性也很好，但这些都是贵金属，价格较高，较少采用。通用的遥测仪器普遍选用铜线制作测温元件，称铜电阻温度表。金属电阻温度表早已在各种温度测量和自动控制技术中使用。在农业气象工作中常用于野外考察、实验室、农田及各种保护地温度测量或湿度测量。 电阻温度表一般包括:感温元件(包括延引导线)、电阻测量系统、指示器或自动记录器等三部分。感温元件可用铂、铜、镍等金属的漆包绝缘细线绕成所需要的各种形状。其外有镀亮的保护套，既有保护作用，又有防辐射作用。电阻测量系统一般选用平衡电桥，如图。 电阻温度表测温电桥原理图当电桥处于平衡状态时，为
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参考词条