1)  PL
光致发光
1.
Study on PL Properties of β-Diketone with ICT Function and Their Metallic Complexes;
具有ICT性质的β-二酮及其金属有机配合物的光致发光性质研究
2.
The Cu doped TiO_2 nanoparticles were prepared by a sol — hydrothermal process,and also were characterized by XRD,SPS and PL.
采用溶胶-水热法合成掺杂Cu的TiO2纳米粒子,利用XRD,SPS和PL等测试手段对样品进行了表征,重点研究了Cu掺杂对样品表面光电(SPV)和光致发光(PL)性质的影响,并探讨了Cu的作用机制。
3.
Meanwhile, comparison of the PL spectrum between the derivative and C60, the derivative has increased PL phenomena at 450 nm at the room temperature.
对其光致发光光谱的特性进行研究,并与C60发光光谱比较,室温下观测到峰值位于450nm附近较强的光致发光现象。
2)  PL
PL
1.
The effects of Danbiqing granule on blood PL,WBC,AKP and morphologic changes in acute cholangitis rabbits;
胆必清颗粒对急性胆管炎家兔血PL、WBC、AKP及形态学改变的影响
2.
In this paper, TiO 2 nanoparticles pure and doped with varying content of Ce were prepared by a sol-gel process using Ti(OC 4H 9) 4 as raw material and characterized by XRD, TEM, BET, XPS and PL spectra.
采用sol gel法制备了纯的和掺杂不同量Ce的TiO2 纳米粒子 ,并利用XRD ,TEM ,BET ,XPS和PL光谱对样品进行表征 ,主要考察焙烧温度和含量对掺杂Ce的TiO2 纳米粒子性质以及光催化降解苯酚活性的影响 ,并探讨了Ce的掺杂对TiO2相变的作用机制以及PL光谱与光催化活性的关系 。
3.
The photoluminescence studies of the irradiated sample showed the intensity of PL was reduced and a blueshift were observed after irradiation.
8 MeV的电子对非故意掺杂的GaN材料进行了辐照,光致发光谱(PL谱)表明,辐照使PL谱的强度随电子注量依次降低,且主发光峰蓝移,在注量较高时,在3。
3)  PL
光致发光谱
1.
By means of optical absorption,photoluminescence(PL),and ellipsometric spectra,metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)grown InN films are investigated.
利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段,对采用金属有机物气相沉积法(MOCVD)制备的InN薄膜的光学性质进行了系统研究。
2.
The crystallization of the top Si layer in SIMOX,especia ll y the behavior of residual oxygen in the top Si layer,is investigated by means o f PL and SIMS,with the sample of P type(100) Si.
利用光致发光谱 (PL)和二次离子质谱 (SIMS)检测了不同退火条件下处理的 SIMOX材料的顶层硅膜 。
4)  PL
光荧光
1.
In this paper, Er photoluminescence(PL) of Er-doped a-Si:H films, prepared by rf magnetron co-sputtering with various densities of Si dangling bonds(DBs), was studied with structure modification resulting from post annealing at a temperature range of 200 -500℃.
进一步通过 2 0 0— 5 0 0℃温度递增的后退火处理 ,获得了不同的Si悬挂键 (Si DBs)密度 ,并在此基础上研究了Si_DBs密度改变对其Er光荧光 (Er_PL)的影响 。
2.
The optical properties and the band lineup in GaNAs/GaAs single quantum wells (SQWs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) using photoluminescence (PL) technique were investigated.
用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 。
5)  PL
光致发光光谱
1.
From the PL spectrum,the UV emission peak of the sample annealed in vacuum increase clearly and deep-level emi.
从光致发光光谱中发现,真空退火后的样品的紫外光谱峰显著增强,而深能级发射峰几乎消失。
6)  PL
PL特性
参考词条
补充资料:光致发光
      用光激发发光体引起的发光现象。它大致经过吸收、能量传递及光发射三个主要阶段。光的吸收及发射都发生于能级之间的跃迁,都经过激发态。而能量传递则是由于激发态的运动。
  
  激发态的分布按能量的高低可以分为三个区域。低于禁带宽度的激发态主要是分立中心的激发态。关于这些激发态能谱项及其性质的研究,涉及到杂质中心与点阵的相互作用,可利用晶体场理论进行分析。随着这一相互作用的加强,吸收及发射谱带都由窄变宽,温度效应也由弱变强,特别是猝灭现象变强,使一部分激发能变为点阵振动。在相互作用较强的情况下,激发态或基态都只能表示中心及点阵作为一个统一系统的状态。通常用位形坐标曲线表示。电子跃迁一般都在曲线的极小值附近发生。但是,近年关于过热发光的研究,证明发光也可以从比较高的振动能级起始,这在分时光谱中可得到直观的图像,反映出参与跃迁的声子结构。
  
  接近禁带宽度的激发态是比较丰富的,包括自由激子、束缚激子及施主-受主对等。当激发密度很高时,还可出现激子分子,而在间接带隙半导体内甚至观察到电子-空穴液滴。 激子又可以和能量相近的光子耦合在一起,形成电磁激子(excitonic polariton)。束缚激子的发光是常见的现象,它在束缚能上的微小差异常被用来反映束缚中心的特征。在有机分子晶体中,最低的电子激发态是三重激子态,而单态激子的能量几乎是三重态激子能量的两倍。分子晶体中的分子由于近邻同类分子的存在,会出现两种效应:"红移"(约几百cm-1)及"达维多夫劈裂"。这两种效应对单态的影响都大于对三重态的影响。
  
  
  能量更高的激发态是导带中的电子,包括热载流子所处的状态。后者是在能量较高的光学激发下。载流子被激发到高出在导带(或价带)中热平衡态的情况,通常可用电子(或空穴)温度(不同于点阵温度)描述它们的分布。实验证明,热载流子不需要和点阵充分交换能量直至达到和点阵处于热平衡的状态即可复合发光,尽管它的复合截面较后者小。热载流子也可在导带(或价带)内部向低能跃迁。这类发光可以反映能带结构及有关性质。
  
  激发态的运动是发光中的重要过程,能量传递是它的一个重要途径。分子之间的能量传递几率很大,处于激发态的分子被看作是激子态。无机材料中的能量传递也非常重要,在技术上已得到应用。无辐射跃迁是激发态弛豫中的另一重要途径。对发光效率有决定性的影响。
  
  光致发光最普遍的应用为日光灯。它是灯管内气体放电产生的紫外线激发管壁上的发光粉而发出可见光的。其效率约为白炽灯的5倍。此外,"黑光灯"及其他单色灯的光致发光广泛地用于印刷、复制、医疗、植物生长、诱虫及装饰等技术中。上转换材料则可将红外光转换为可见光,可用于探测红外线,例如红外激光的光场等。
  
  光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、灵敏度高的分析方法。激光的应用更使这类分析方法深入到微区、选择激发及瞬态过程的领域,使它又进一步成为重要的研究手段,应用到物理学、材料科学、化学及分子生物学等领域,逐步出现新的边缘学科。
  

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