1) capacitance-voltage
电容-电压
2) capacity voltage
电容电压
3) capacitance-voltage spectrum
电容-电压谱
4) capacitancepotential characterizations
电容电压特性
5) capacitance-to-voltage signal converting
电容/电压转换
6) voltage balance boundary
电容电压平衡域
参考词条
电容电压过零点
不连续电容电压
电容电压波动
直流侧电容电压
电容电压不平衡
直流电容电压
电容-电压曲线
电容-电压转换
电化学电容-电压
电容电压转换
高频电容-电压
电容电压方法
电容-电压测量
电容电压特性
电化学电容电压
电容-电压转换器
角膜外伤
集体化培训
补充资料:电容电压法
电容电压法
capacitance-voltage method
电容电压法capaeitance一vozta罗method用于测量体材料、外延材料、异质结结构以及超晶格等材料的载流子浓度及其分布的方法。载流子浓度可测范围为5x10‘4一5火10‘7cm一3。测试样品需制备成PN结、肖特基势垒或MOS、MIS结构等,因此也可用来研究界面特性。 将置于恒定反偏的PN结上叠加一小讯号的高频电压时,由于频率很高,它仅能使耗尽区界面处、弛豫时间为10一‘2秒的自由载流子来得及移动,以致引起耗尽区界面处空间电荷的变化,这与一个间距为W的平行板电容器的效果等同,于是高频小讯号半导体结电容C为。A£七一一于书, 昨式中W为耗尽区宽度,£为介电常数,A为结的面积。 根据微分电容的定义:尸二卫垒~dV 界面处的感生电荷由界面移动来完成,如PN结两侧的浓度分别为戈(x)和凡(x),在单边突变结的情况下,耗尽层电荷的变化dQ为 dQ二qANb(x)d。由上3式可得N0(二,一葡箫一当PN结为双边结时,则 1 .1_口乙八2,dC、一玉不-了一,「州尸于于万r一、一一一下子r一几一不万厂井)IV台气X)IV滩、尤)L一’QV’上两式就是利用电容一电压法测量载流子浓度分布的基本公式。 测量在小讯号(
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。