1) Time sequence driving circuit
驱动时序电路
1.
Design and realization of the time sequence driving circuit for a kind of linear CCD based on CPLD and VHDL;
基于CPLD和VHDL的一种线阵CCD驱动时序电路的设计与实现
2.
The design of the time sequence driving circuit of CCD is a crucial problem of its application.
CCD(电荷耦合器件)作为一种应用广泛的新型半导体光电器件,驱动时序电路的实现是其应用的关键问题。
3.
Design of time sequence driving circuit is the key technology for applications of CCD.
驱动时序电路的设计是CCD应用的关键技术,在分析ATMEL,公司的TH7834C型长线阵CCD器件驱动时序关系的基础上,设计了TH7834C的驱动时序电路。
2) driving clock circuit
驱动时钟电路
1.
The driving clock circuit and refrigeration circuit of ISD017AP are designed The non-uniformity of dark current and light effect of CCD are analyzed and corrected Its application in digital radiography is also introduced.
介绍了科学级制冷 ＣＣＤ器件 ＩＳＤ０１７ＡＰ的主要性能、结构及管脚，设计了构成相机的制冷电路与驱动时钟电路，对相机的暗电流和光响应不一致性进行了分析和校正。
3) Driving Timing
驱动时序
1.
Design of Driving Timing Generator for Linear CCD Based on CPLD;
基于CPLD的线阵CCD驱动时序发生器的设计
2.
High frame rate CA-D6 driving timing of acquiring image is analyzed.
分析比较了进行时序设计的几种常用方法,着重介绍了如何利用XILINX综合工具ISE的两种输入设计方法VHDL(可视化硬件描述语言)和ECS(原理图编辑器)相结合来设计以及实现高帧频摄像头CA-D6的驱动时序,并给出了时序仿真结果。
3.
The driving timing was designed for array CMOS sensor.
在分析LUPA300型面阵CMOS图像传感器驱动时序关系的基础上,设计了此面阵CMOS图像传感器的驱动时序。
5) Driving schedule
驱动时序
1.
Based on the analyse of its driving schedules in detail,the driving schedule generator with simultaneously tunable integration time and series is designed for time delay and integration charge coupled device(TDI CCD) camera.
在分析TDI CCD器件驱动时序关系的基础上,设计了积分时间和级数分别可调的驱动时序发生器。
2.
Driving schedules have been examined in detail.
在分析了CCD器件驱动时序关系的基础上,设计了可选输出的驱动时序发生器。
3.
Driving schedule generator was described with verilog HDL.
选用复杂可编程逻辑器件作为硬件设计载体,使用Verilog HDL语言对驱动时序发生器进行编程。
6) Timing-driven
时序驱动
1.
This paper proposes a timing-driven floorplan method based on groups in the physical design.
本文提出了一种基于组的时序驱动布局规划方法,它利用现有的EDA工具将网表划分为组,并充分利用设计师的体系结构经验进行布局、调整和优化。
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条