1) spherical ZnSe nanomaterial
球形ZnSe纳米材料
2) ZnSe nanocrystals
ZnSe纳米晶材料
1.
The ultrafast absorption spectra of ZnSe nanocrystals indicate that the electron-electron scattering time is 8.
通过改进的溶剂热方法,以KBH4作为还原剂,在三乙胺溶液介质中制备了ZnSe纳米晶材料。
3) ZnSe/SiO_2 composites
ZnSe/SiO2纳米复合材料
4) sphere-like ZnSe nanocrystals
球形ZnSe纳晶
6) ZnSe nanorods
ZnSe纳米棒
1.
ZnSe nanorods and ZnSe spheres were prepared with hydrothermal method,the products were characterized with XRD,TGA-DTA,SEM,the possible formation mechanism involving a co-growth process is proposed.
采用水热法制备了ZnSe纳米棒和微球,用XRD,TGA-DTA和SEM等技术对其进行了表征,提出了解释ZnSe微球的形成新机理。
2.
Humidity sensors based on ZnSe nanorods were fabricated.
本文第一个在不加任何有机分散剂情况下,采用复合碱媒介法(CHM)制备出ZnSe纳米棒。
补充资料：zinc selenide crystal ZnSe
分子式：
CAS号：
性质：周期表Ⅱ、Ⅵ族化合物半导体，离子键结合，有一定共价键成分。立方晶系闪锌矿型结构。晶格常数0.5667nm。密度2.58g/cm3。熔点1515℃。为复式晶格，直接带隙半导体，室温禁带宽度2.58eV，电子和空穴迁移率分别为1×10-2和1.6×10-3m2/(V·s)。采用升华再结晶法、水溶液沉淀、气相淀积法制备。用作发光和光探测器材料。
CAS号：
性质：周期表Ⅱ、Ⅵ族化合物半导体，离子键结合，有一定共价键成分。立方晶系闪锌矿型结构。晶格常数0.5667nm。密度2.58g/cm3。熔点1515℃。为复式晶格，直接带隙半导体，室温禁带宽度2.58eV，电子和空穴迁移率分别为1×10-2和1.6×10-3m2/(V·s)。采用升华再结晶法、水溶液沉淀、气相淀积法制备。用作发光和光探测器材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条