1) electron trap
电子陷阱
1.
The electron trap effect of the sulfur+gold sensitization center on the photoelectron behaviors;
S+Au增感中心的电子陷阱效应对光电子行为的影响
2.
It is found that the trap effect of the sensitization centers varies from the hole trap to deep electron trap with the change of sensitization conditions.
实验发现,随增感条件的不同,增感中心发生了由空穴陷阱作用向深电子陷阱作用的转变。
3.
The influence of electron traps in silver bromide microcrystal, on .
通过测量溴化银光作用过程的时间分辨谱,讨论了卤化银晶体中电子陷阱对光电子运动行为的影响,分析了电子陷阱效应同增感时间之间的关系以及两个一级衰减区间寿命值同增感时间的关系。
2) electron traps
电子陷阱
1.
Electron paramagnetic resonance(EPR) was also used to investigate electron traps in the phosphor.
用喇曼和顺磁共振 (EPR)等手段表征了掺Si4+ 后BaFBr∶Eu2 + 中电子陷阱的结构 ,并根据此结构解释了其激发波长的红移量比其它低价阳离子掺杂都高的原因。
3) shallow electron traps
浅电子陷阱
1.
By comparing the electron signal with that of pure specimen,it is found that the free photoelectrons decay time is delayed 338ns by the introduced shallow electron traps.
对比未掺杂样品发现,掺杂引入的浅电子陷阱使样品中的自由光电子衰减时间延长了338ns,衰减过程中出现一个明显的一级指数快衰减区;较高浓度掺杂情况下,测量了光作用产物对光电子衰减的影响,分析表明,光作用产物是具有深电子陷阱作用的银簇。
2.
The effect of Ruthenium dopant on photographic sensitivity by varying the dopant amount and location in model sliver bromide cubic emulsions has been studied It is concluded that doping Ruthenium, which functions as shallow electron traps inside sliver bromide crystal, is beneficial for increasing sensitivit
研究了浅电子陷阱掺杂剂———钌盐Ru (Ⅱ )加入纯溴立方体乳剂中 ,对感光度的影响 ,结果表明在乳剂颗粒的一定位置 ,掺杂一定量钌盐能明显提高乳剂感光度。
3.
To describe the photoelectron rise and decay process of AgCl microcrystals doped with [Fe(CN) 6] 4-, a kinetics model composed of three intrinsic centres and a shallow electron traps(SETs)is set up, and further more, a set of differential equations is deduced.
为了描述在晶体生长阶段掺入 [Fe(CN) 6 ]4 - 的立方体AgCl微晶中光电子的产生与衰减过程 ,建立了一种由三个固有中心和一个浅电子陷阱 (SETs)组成的动力学模型 ,并引出一组微分方程 。
4) Shallow electron trap
浅电子陷阱
1.
According to the basic model that describes the microcosmic dynamics process of light-generated carriers,it is analyzed that the free photoelectron decay time changes with the trap depth and density of shallow electron traps.
依据描述卤化银微晶中光生载流子的微观动力学过程的基本模型 ,分析了自由光电子衰减时间随浅电子陷阱深度和密度的变化情况 ,从而对浅电子陷阱的阈值效应进行了讨论 ,给出了确定卤化银乳剂中浅电子陷阱最佳掺杂条件的依据。
5) isoelectronic impurity
等电子陷阱
6) self-trapped well of the electron
电子自陷阱
1.
Also the binding energy of the polarons and the self-trapped well of the electrons are calculated.
本文研究了存在Ａｈａｒｏｎｏｖ—Ｂｏｈｍ磁通时，一维分子环中局域极化子的概率振幅所满足的非线性方程，并求出方程的极化子解，以及其束缚能和相应的电子自陷阱。
补充资料：等电子陷阱
固体中的等电子杂质以短程作用为主的俘获电子或空穴所形成的束缚态。所谓等电子杂质系指与点阵中被替代的原子处于周期表中同一族的其他原子。例如 GaP中取代P位的N或Bi原子。等电子杂质本身是电中性的,但由于它与被替代的原子有不同的电负性和原子半径，这些差异会产生以短程作用为主的杂质势，可以俘获电子(或空穴)。当这种杂质势的绝对值大于电子(或空穴)所处的能带的平均带宽或电子的有效"动能"时，能带中的电子（或空穴）便可能被等电子杂质所俘获并造成电子（或空穴）束缚态。相对于点阵原子而言，通常电负性大的等电子杂质形成电子束缚态，反之形成空穴束缚态。前者又称等电子受主，后者为等电子施主。这是两种最基本的等电子陷阱。此外，实验上已确认：不仅孤立的等电子杂质，而且不同距离的两个等电子杂质联合成对，例如GaP中的NNi对（i=1,2,...分别表示处于第一近邻、第二近邻......等的NN对）也可以形成等电子陷阱。
1968年后，又从实验研究中发展了等电子陷阱的概念，认为半导体中某些处于最近邻的施主－受主对，例如GaP中的Zn-O对及Cd－O对(尽管这些不是等电子杂质)，实际上类似于晶体中的中性分子。它们也以短程作用束缚电子，构成等电子陷阱。
等电子陷阱通过短程势俘获电子(或空穴)之后，成为负电（或正电）中心，可以借助长程库仑作用吸引一个空穴（或电子），于是形成了等电子陷阱上的束缚激子。因为这种束缚激子(至少其中有一个载流子)在正常空间中是非常局域化的,根据量子力学的测不准关系,它在动量空间的波函数相当弥散，使得处于布里渊区内动量不为零的电子在动量为零处波函数也有相当幅度。这样，就和空穴波函数有大的交叠。因而有可能实现准直接跃迁而使辐射复合几率显著提高。在间接带隙的材料中，引入适当的等电子杂质，就可使发光效率获得显著提高。这一原理已在GaP和GaAsP发光二极管的制造中被广泛应用。
参考书目
J.I.Pankove, Optical Processes in Semiconduct-ors,Prentice-Hall,Englewood Cliffs,New York,1971.
1968年后，又从实验研究中发展了等电子陷阱的概念，认为半导体中某些处于最近邻的施主－受主对，例如GaP中的Zn-O对及Cd－O对(尽管这些不是等电子杂质)，实际上类似于晶体中的中性分子。它们也以短程作用束缚电子，构成等电子陷阱。
等电子陷阱通过短程势俘获电子(或空穴)之后，成为负电（或正电）中心，可以借助长程库仑作用吸引一个空穴（或电子），于是形成了等电子陷阱上的束缚激子。因为这种束缚激子(至少其中有一个载流子)在正常空间中是非常局域化的,根据量子力学的测不准关系,它在动量空间的波函数相当弥散，使得处于布里渊区内动量不为零的电子在动量为零处波函数也有相当幅度。这样，就和空穴波函数有大的交叠。因而有可能实现准直接跃迁而使辐射复合几率显著提高。在间接带隙的材料中，引入适当的等电子杂质，就可使发光效率获得显著提高。这一原理已在GaP和GaAsP发光二极管的制造中被广泛应用。
参考书目
J.I.Pankove, Optical Processes in Semiconduct-ors,Prentice-Hall,Englewood Cliffs,New York,1971.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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