1) electron mobility
电子迁移率
1.
Through UV-Vis, XRD, SEM and AFM characterizations, the difference in electron mobility between 1 and 2 can be.
利用空间电荷限制电流(SCLC)法测试了二种氟代苝酰亚胺的电子迁移率,一种是N,N'-二(五氟代苯基)-3,4,9,10-苝四羧基二酰亚胺(1),另一种是N,N'-二(1,1-二氢十五氟代辛基)-3,4,9,10-苝四羧基二酰亚胺(2)。
2.
An electron mobility of 6×10~4 cm~2/Vs with a carrier density of 2.
结果表明,电离杂质散射控制所有样品在低温时的电子输运过程,而高温时材料的电子迁移率主要由极性光学声子的散射过程决定;C的沾污对石墨舟中生长的InAs0。
3.
An analytical model of electron mobility for strained-silicon channel nMOSFETs is proposed in this paper.
提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型。
2) electron drift mobility
电子漂移迁移率
3) Positron mobility
正电子迁移率
4) HEMT
高电子迁移率管
5) electron Hall mobility
电子霍耳迁移率
1.
Analytical model for the electron Hall mobility in the n-type 4H-SiC;
n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型
2.
With analysis of conduction band structure and isotropic relaxation time approximation,an analytical model for the electron Hall mobility and Hall scattering factor of n-type 6H-SiC is proposed.
基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响。
补充资料：电子迁移率
分子式：
CAS号：
性质：在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移，称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向，通常小于无规热运动速率，其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确定，是一个平均速率。
CAS号：
性质：在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移，称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向，通常小于无规热运动速率，其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确定，是一个平均速率。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条