1) microwave plasma chemical vapor deposition(CVD)
微波等离子体化学气相沉积(CVD)
2) plasma-enhanced chemical vapour deposition (PE-CVD)
等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)
1.
Porous nanocrystalline TiO2 thin film was deposited on glass substrates by dielectric barrier discharge plasma-enhanced chemical vapour deposition (PE-CVD) with pulsed bias voltage and TiCl4/O2 mixture.
采用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法及TiCl4/O2混合气体在常温常压下可制备纳米晶TiO2多孔薄膜。
2.
Amorphous TiO2 thin films were prepared by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PE-CVD) on glass substrates at room temperature, TTIP (Ti(OC3H7)4) was used as a precursor compound, and carried into reactor by O2.
使用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法,以TTIP(Ti(OC3H7)4)为单体,用氧气为载气,以脉冲偏压为辅助在室温的玻璃基片上沉积无定型TiO2薄膜,分析探讨在射频等离子体增强化学气相沉积TiO2薄膜的过程中,基片上施加脉冲偏压和远离脉冲偏压的情况下成膜的比较。
3) MPCVD
微波等离子体化学气相沉积
1.
SiC NANOWIRES GROWN ON SILICON(100) WAFER BY MPCVD METHOD;
微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线
2.
Chain-like carbon nanotube(CNTs) thin films were rapidly deposited on Ti-coated Al2O3 substrate by MPCVD(microwave plasma enhanced chemical vapor deposition) process for only 1min with CH4 and H2 as reaction gases.
以镀有Ti层的Al2O3为衬底,在微波等离子体化学气相沉积系统中,以CH4和H2为反应气体,快速制备了链状碳纳米管薄膜(沉积时间仅1 min)。
3.
C3N4 thin films have been prepared on Pt substrates by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method.
采用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD），使用高纯N2（99。
4) microwave plasma chemical vapor deposition
微波等离子体化学气相沉积
1.
Using microwave plasma chemical vapor deposition technology,diamond films were deposited on the silicon wafer of 51~76 mm in diameter.
利用自行设计微波等离子体化学气相沉积装置在直径51 mm和76 mm硅片上制备金刚石薄膜。
2.
A diamond film deposited on hard-metal was obtained by microwave plasma chemical vapor deposition of a methan-hydrogen-oxygen gas mixture.
采用ＣＨ＿４－Ｈ＿２－Ｏ＿２微波等离子体化学气相沉积法在硬质合金表面沉积金刚石薄膜，研究了ＴｉＣ中间过渡层对金刚石薄膜沉积效果的作用及粘结机理。
3.
The globe-like diamond microcrystalline aggregates were fabricated by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method.
在覆盖金属钛层的陶瓷上,利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备出类球状微米金刚石聚晶膜。
5) microwave plasma chemical vapor deposition
微波等离子体化学气相沉积法
1.
In this paper,carbon nanotubes electrodes are directly synthesized on the surface of electrodes substrate through microwave plasma chemical vapor deposition,then they are disposed by air plasma.
利用微波等离子体化学气相沉积法制备了与电极基底结合良好的纳米碳管电极,用空气等离子体将该纳米碳管电极功能化,并以功能化的电极为工作电极,利用循环伏安法对毒性很强的酚的混合物进行检测。
2.
Under the assistant effect of sulfur, carbon nanotubes electrodes were prepared on the end of tungsten strings directly through microwave plasma chemical vapor deposition.
基于此目的,本研究直接利用微波等离子体化学气相沉积法在钨丝截面上制备出了纳米碳管电极,利用该电极对酸性溶液中的Cu2+进行了检测,并与具有相同截面积的石墨电极的电化学检测性能作了比较,分析了在相同工艺条件下获得的不同纳米碳管电极的电化学检测性能的均一性、稳定性和重现性。
3.
Under the catalytic effect of nickel particles, spring-like carbon filaments were synthesized through microwave plasma chemical vapor deposition.
以镍为催化剂,利用微波等离子体化学气相沉积法制备了弹簧状碳纤维。
6) microwave plasma CVD
微波等离子体化学气相沉积
1.
In this paper, carbon nanotubes (CNTs) are synthesized by microwave plasma CVD directly from an inexpensive raw material source, ilmenite.
以廉价钛铁矿为原料,利用微波等离子体化学气相沉积法,直接制备了纳米碳管,并在适当的条件下,同时将其中的钛氧化物碳化而获得纳米碳管碳化钛复合粉体材料。
补充资料：微波等离子体化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：用微波等离子体激活化学反应，进行气相沉积的技术。微波等离子体增强了气体反应活性，加速气相分解反应和表面原子的迁移，使沉积过程可以在较低生长温度下进行。常用设备在一低压化学气相沉积(CVD)反应管上交叉安装一共振腔和与之匹配的微波发射器。在CVD反应管中被共振腔包围气体可通过微波作用形成等离子体，微波频率通常为2.45GHz，发射功率通常在几百瓦至1kW以上。该方法对于低熔点和高温下不稳定的化合物的薄膜生长更为合适。
CAS号：
性质：用微波等离子体激活化学反应，进行气相沉积的技术。微波等离子体增强了气体反应活性，加速气相分解反应和表面原子的迁移，使沉积过程可以在较低生长温度下进行。常用设备在一低压化学气相沉积(CVD)反应管上交叉安装一共振腔和与之匹配的微波发射器。在CVD反应管中被共振腔包围气体可通过微波作用形成等离子体，微波频率通常为2.45GHz，发射功率通常在几百瓦至1kW以上。该方法对于低熔点和高温下不稳定的化合物的薄膜生长更为合适。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条