说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 位错网
1)  dislocation network
位错网
1.
The internal stresses produced by dislocation networks at the γ/γ' interfaces in a single crystal nickel-base superalloy DD8 has been studied after in phase (IP) and out of phase (OP) thermo-mechanical fatigue (TMF) testing.
计算了DD8单晶镍基高温合金在同相(IP)和反相(OP)热机械疲劳(TMF)后γ/γ'相界面上产生的位错网的内 应力。
2.
A dense hexagonal dislocation network exists on the r/r' interfaces normal to the stress axis in DD8 single crystal nickel base superalloy after in phase (IP) thermo-mechanical fatigue(TMF).
DD8单晶镍基高温合金经过同位相热机械疲劳(TMF)后,在垂直于应力轴的γ/γ’相界面上存在着大量的六角形位错网
3.
Under IP testing, dense hexagonal dislocation networks exist on the γ/γ' interfaces normal to the stress axis, and rectangular dislocation networks exist on the γ/γ' interfaces parallel to the stress axis.
透射电镜(TEM)观察表明,DD8单晶镍基高温合金经过热机械疲劳(TMF)后,在同位相(IP)和反位相(OP)加载的条件下,合金内部的位错组态和γ′沉淀相的形貌有很大的区别,在IP加载条件下,垂直应力轴的,γ/γ′相界面上存在着密集的六角形位错网,平行应力轴的相界面上存在的是四边形的位错网,而且在小机械应变幅下,γ′相出现明显的筏化现象,并且随着应变幅的增加,γ′沉淀相的筏化现象也越来越不明显,在OP加载条件下,在γ/γ′相界面上则没有位错网被观察到,γ′被层错剪切,并且没有明显的筏化出现。
2)  dislocation networks
位错网
1.
The results showed that the three-dimenision dislocation networks on the γ/γ phase intedsces were formed by the dislocation reaction when two sets dislocations with difFerent Burgets vectors meet during primary creep.
对[001]取向单晶镍基合金的恒温拉伸蠕变组织形貌的TEM观察表明,蠕变初期,基体γ相八面体滑移系中两组1/2<110>位错运动至同一晶面相遇,发生反应形成三维节点的位错网络;稳态期间,基体中运动位错可通过界面位错网攀移越过筏状γ相;蠕变后期形变的特征是运动位错在位错网损坏处切入筏状γ相
3)  net dislocation
网格位错
4)  dislocation network
位错网络
1.
It was found that there exist prismatic dislocations,stacking faults,array of dislocations and dislocation network.
研究发现金刚石中存在层错、棱柱位错、位错列和位错网络等晶体缺陷。
5)  misfit dislocation network
失配位错网
6)  dislocation network model
位错网络模型
1.
A dislocation network model for simulating the strain mode at the interface is suggested.
针对应变层超晶格界面处晶格畸变的特征,提出用位错网络模型模拟界面处的畸变,根据弹性理论,应用Volterra点方法,导出了界面畸变在社底区(Si)中,所引起的弹性场。
补充资料:不全位错


不全位错
partial dislocation

不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界,也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例,最常。二‘。一‘,,,、~,,一一,、,、二加,‘爪1,,,八、~,.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘,~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层,并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错,此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错, 1‘,,。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错,正弗兰克不全位错,。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在,所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移,而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外,在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中,不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错,其间以层错带相联,通常称为扩展位错。 (杨顺华)
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条