1) laminar flow etching
层流刻蚀
2) Deepetching
深层刻蚀
3) AC Electroetching
交流刻蚀
4) DC etching
直流刻蚀
1.
Effect of DC etching aluminum current collector on the performance of LiCoO_2 cathode;
直流刻蚀铝集流体对LiCoO_2正极性能的影响
2.
Effect of DC etching of Al current collector on supercapacitors performance;
集流体表面直流刻蚀对超级电容器性能的影响
5) Thin layer soft lithography
薄层软刻蚀
6) etch stop layer
蚀刻阻挡层
1.
For further optimal process,a single GaInP etch stop layer with 30～50 nm thickness,which was inserted in the vertical structure of normal quantum well material,was verified.
为了进一步优化工艺 ,在普通的单量子阱材料横向结构中嵌入了 30～ 5 0 nm的 Ga In P蚀刻阻挡层。
2.
In order to improve the controllability of the dry etching depth during the fabrication process of ridge waveguide, an etch stop layer is designed in the vertical structure of GaInP/AlGaInP ridge waveguide.
针对脊形波导制作过程中蚀刻深度不易控制的问题 ,对GaInP/AlGaInP材料系统中加入蚀刻阻挡层进行了研
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条