1) vacuum reaction sintering
真空反应烧结
2) vacuum sintering
真空烧结
1.
Fabrication of a High-density Fine-grain P/M Titanium Alloy by Mechanical Alloy and Vacuum Sintering;
机械合金化-真空烧结法制备致密细晶钛合金
2.
Study of vacuum sintering technique of powder catalyst capsule;
粉末触媒合成柱真空烧结工艺的研究
3.
The microstructure and doping of Nd:YAG ceramics prepared by vacuum sintering were analyzed by X-ray diffraction (XRD), absorption spectra, digital metalloscope, scanning electron microscope (SEM) and energy dispersive spectrometer (EDS).
利用X射线衍射(XRD)、吸收光谱、数字金相显微镜、扫描电镜(SEM)和能谱(EDS)分析了真空烧结法制备的掺钕YAG陶瓷的显微结构和掺杂情况。
3) reaction sintering
反应烧结
1.
Microstructure and properties of Mo_2FeB_2 cermets clad layer by reaction sintering;
反应烧结三元硼化物金属陶瓷覆层的组织与性能
2.
Densification of laser ignited reaction sintering of Ni-Al-Cu powder alloy;
Ni-Al-Cu粉末合金激光点火反应烧结的致密化研究
3.
The samples prepared by general sintering and reaction sintering are investigated by XRD,SEM and other testing means for their structure and performance.
采用常规烧结法和反应烧结法烧结制品,并利用XRD和SEM等测试手段对制品的结构与性能进行了分析研究。
4) reactive sintering
反应烧结
1.
Preparation of cemented carbide having highly oriented WC grains by reactive sintering of W-Co-Nano carbon tubes;
W-Co-纳米碳管反应烧结制备高度取向硬质合金
2.
Densification behavior during reactive sintering of compacted Ti/Al composite powders prepared by high energy ball milling;
高能球磨Ti/Al复合粉体的反应烧结致密行为
3.
Temperature model of reactive sintering of Ni Al thermal spray layer;
Ni-Al喷涂层中温反应烧结的温度变化模型
5) reaction-bonded
反应烧结
1.
Low density silicon nitride with about 55% porosity and globed macropores was prepared by reaction-bonded raw silicon powder and adding 30% in mass pore-forming agent of benzoic acid ball-like particles.
以硅粉为原料,添加质量分数为30%的成孔剂(苯甲酸)球形颗粒,反应烧结制备了气孔率为55%,具有球形宏观孔的低密度多孔氮化硅陶瓷。
2.
A near-net-shape SiC was prepared by reaction-bonded from a pure carbon perform which was fabricated by mould from graphite power as raw and phenolic resin as binder.
以石墨粉体为原料,酚醛树脂为粘接剂,采用模压成型工艺制备了全碳质素坯,反应烧结后得到S iC材料。
3.
The effects of carbon content, moulding pressure, and carbon particle size of green body on microstructure and properties of reaction-bonded silicon carbide (RBSC) have been investigated.
研究了反应烧结碳化硅陶瓷的显微组织和性能与生坯碳含量、成型压力以及碳粉粒度的关系。
6) reaction bonded
反应烧结
1.
SiC platelets/C preform was infiltrated with liquid silicon to prepare reaction bonded silicon carbide(RBSC) materials.
以液Si浸渗SiC片晶和C的坯体制备了SiC片晶增韧反应烧结SiC陶瓷材料,讨论了SiC片晶的掺加分数及烧结温度对材料显微结构和力学性能的影响,并比较了所得材料与传统反应烧结材料的力学性能。
2.
The high temperature oxidation kinetics of a reaction bonded silicon carbide oxided in air at 1 300℃ were investigated.
研究了反应烧结碳化硅陶瓷在1300℃空气中的高温氧化行为,结果表明:高温氧化过程中在试样表面出现的非晶态SiO2晶化以及氧化膜起裂,使得该陶瓷氧化曲线遵循对数氧化规律。
3.
The relation between microstructure and resistivity of reaction bonded silicon carbide (RBSiC) is examined.
研究了反应烧结碳化硅及随后经１６５０℃和１８００℃除硅处理后，材料的显微组织与电阻率之间的关系。
补充资料：粉末真空烧结
粉末真空烧结
vacuum sintering of powder
fenmo zhenkong shaojie粉末真空烧结(Vaeuum sintering ofpowder)在低于大气压力条件下进行的粉末烧结。真空烧结的主要优点是:(1)减少了气氛中有害成分(水、氧、氮)对产品的不良影响。例如要使电解氢气中含水量降至一4。℃的露点是相当困难的，而真空度只要达到133Pa就相当于含水量为一4。℃的露点。而获得这样的真空度是并不困难的。(2)对于不宜用还原性或惰性气体作保护气氛(如活性金属的烧结)，或容易出现脱碳、渗碳的材料均可用真空烧结。(3)真空可改善液相对固相的润湿性，有利于收缩和改善合金的组织。(4)真空烧结有助于硅、铝、镁、钙等杂质或其氧化物的排除，起到净化材料的作用。(5)真空有利于排除吸附气体、孔隙中的残留气体以及反应气体产物，对促进烧结后期的收缩有明显作用。如真空烧结的硬质合金的孔隙度要明显低于在氢气中烧结的硬质合金。(6)真空烧结温度比气体保护烧结的温度要低一些，如烧结硬质合金时烧结温度可降低10。~150℃。这有利于降低能耗和防止晶粒长大。 真空烧结时，常发生金属的挥发损失。如烧结硬质合金时出现钻的挥发损失。通过严格控制真空度，即使炉内压力不低于烧结金属组分的蒸气压，也可大大减少或避免金属的挥发损失。真空烧结的另一个问题是含碳材料的脱碳。这主要发生在升温阶段，炉内残留气体中的氧、水分以及粉末内的氧化物等均可与碳化物中的化合碳或材料中的游离碳发生反应，生成一氧化碳随炉气抽出‘。含碳材料的脱碳可用增加粉末料中的含碳量以及控制真空度来解决。 为了提高真空烧结过程的加热速度和炉温的均匀性，在烧结初期可通入适量气体(惰性气体或氢气)。同样可采甩循环气体冷却方法来提高真空烧结的冷却速度。为了防止烧结中成形剂污染真空装置系统，压块应在真空烧结前进行预烧以排除成形剂。 在粉末冶金中，真空烧结主要用于烧结活性金属和难熔金属被、社、钦、错、担、锯等;烧结硬质合金、磁性合金、工具钢和不锈钢;以及烧结那些易于与氢、氮、一氧化碳等气体发生反应的化合物。 (王才德)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条