1) impurity phase
杂质相
1.
Effects of Trace Rare Earth on Modification of Fe-rich Impurity Phase in Aluminum Sheet for Easy-open Can;
微量RE对易拉罐用铝材中富Fe杂质相的变质作用
2.
The impurity phase exhibites obviously as x=1.
0时,杂质相明显出现,且主相、杂质相的居里温度会随着x含量的增加而增加。
3.
Modification of impurity phases in Al-1Mn-1Mg alloy melt was performed by adding trace RE,and the effect of modification was studied with aids of SEM,XRD, EDAX analysis methods.
在Al-1Mn-1Mg合金熔体中添加微量稀土(RE)元素进行富Fe杂质相变质处理,采用SEM,XRD,EDAX等分析测试技术研究杂质相的变质效果。
2) Fe-rich impurity phases
杂质相
1.
It is found that oxide inclusions in the Al sheet are mainly γ-Al2O3, and Fe-rich impurity phases in the sheet are mainly Al3Fe,T1 (Al12Fe3Si) or (AlFeSiRE),and the crystal structure of (AlFeSiRE) phase is too complicated to determinate it.
结果表明,压力罐用铝材中的氧化夹杂物主要为面心立方晶格的γ-Al2O3,富Fe杂质相主要有单斜晶格的Al3Fe相、六方晶格的T1(Al12Fe3Si)相,或(AlFeSiRE)相,其中(AlFeSiRE)相的晶体结构较复杂,有待进一步确定。
2.
It is found that oxide inclusions in the Al sheet are mainly γ-Al2O3, and Fe-rich impurity phases in the sheet are mainly Al3Fe, Tl(Al12Fe3Si) or (AlFeSiRE), and the crystal structure of (AlFeSiRE) phase is too complicated to determinate it.
结果表明:压力罐用铝材中的氧化夹杂物主要为面心立方晶格的γ-Al2O3,富Fe杂质相主要有单斜晶格的Al3Fe相、六方晶格的Tl(Al12Fe3Si)相,或(AlFoSiRE)相,其中 (AlFeSiRE)相的晶体结构较复杂,有待进一步确定。
3) related impurities
相关杂质
1.
A method using high performance liquid chromatography-tandem mass spectrometry (HPLC-MS/MS) was established for analysis and identification of chlorogenic acid along with its related impurities.
建立了高效液相色谱-串联质谱法(HPLC-MS/MS)分离和鉴定绿原酸及其相关杂质的方法。
4) modification of impurity phases
杂质相变质
5) Fe(Si)-rich Impurity Phase
富Fe相杂质
6) iron-rich impurity
富铁相杂质
1.
Effect of melt treatment on iron-rich impurity separated from Al-Si alloy by electromagnetic field;
熔体处理对电磁分离铝-硅合金中富铁相杂质的影响
2.
In this study,the separating object was iron-rich impurity particles in Al-Si alloy and dynamic experiments had been done to study the effect of magnetic flux density,cross shape of separator channel and circle size of metal melt no separating efficiency.
文中以铝硅合金中的富铁相杂质颗粒为分离对象,利用流动试验研究了磁感应强度、分离通道截面形状和金属熔体回路尺寸对分离效率的影响。
补充资料：半导体材料中的杂质
半导体材料中的杂质
impurity in semiconductor material
bandaotl eall旧0 zhong de zazh!半导体材料中的杂质(impurity in Semieon-duetor material)半导体晶格中存在的与其基体不同的其他化学元素原子。杂质的存在使严格按周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，这对半导体材料的性质产生决定性的影响。杂质元素在半导体材料中的行为取决于它在半导体材料中的状态，同一种杂质处于间隙态或代位态，其性质也会不同。电活性杂质在半导体材料的禁带中占有一个或几个位置作为杂质能级。按照杂质在半导体材料中的行为可分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质。按照杂质电离能的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质。浅能级杂质对半导体材料导电性质影响大，而深能级杂质对少数载流子的复合影响更显著。氧、氮、碳在半导体材料中的行为比较复杂，所起的作用与金属杂质不同，以硅和砷化稼为例叙述杂质的行为。 硅中的杂质主要有金属杂质和氧、碳。 金属杂质分为浅能级杂质和深能级杂质。l族元素硼、铝、稼、锢和v族元素磷、砷、锑，它们在硅中的能级，位于导带底或价带顶的附近，电离能级小，极易离化，因此称为浅能级杂质。它们是硅中主要的电活性杂质。妞族元素起受主作用，v族元素起施主作用，常用作硅的掺杂剂。这两种性质相反的杂质，在硅中首先相互补偿，补偿后的净杂质量提供多数载流子浓度。 其他金属杂质，尤其是过渡元素(重金属)，如铜、银、金、铁、钻、镍、铬、锰、铂等，在硅中的能级位置一般远离导带底或价带顶，因此称为深能级杂质。它们在硅中扩散快，并起复合中心作用，严重影响少子寿命。它们本身可产生缺陷，并易与缺陷络合，恶化材料和器件的性能。除特殊用途外，重金属元素在硅中都是有害杂质。 镍、钻、铜、铁、锰、铬和银所造成的“雾”缺陷，按次序降低。铜和镍具有高的扩散系数和高的间隙溶解度，在“雾”缺陷形成中，它们会溶解、扩散并沉淀在硅中，而铁、铬、钻则在热处理中将留在硅的表面。 铿、钠、钾、镁、钙等碱金属和碱土金属离子，在电场作用下易在p一n结中淀积，使结退化，导致击穿蠕变，MOS闽电压漂移，沟道漏电，甚至反型。 锗是替位式杂质，电中性，能有效地消除氧化片滑移，增加硅的机械强度。 氧氧在硅中是间隙型杂质，分散在硅中的氧原子呈电中性。是硅中含量最多又极为重要的杂质。硅中氧主要来源于熔融硅与石英增涡的反应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条