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1)  Dehydroascorbic acid
氧化型Vc
1.
Contents and stability to air and heat treatment of Ascorbic acid(AA) and Dehydroascorbic acid(DHA) in different common fruits was systematically studied in this paper.
分析测定了常见水果的还原型VC(Ascorbicacid,AA)与氧化型VC(Dehydroascorbicacid,DHA)的含量,并研究了空气和热处理对其AA与DHA含量的影响。
2.
Change law of ascorbic acid(AA) and dehydroascorbic acid(DHA) in Chinese date juice during processing were studied through determinming their retention rates in the operating steps of microwave softening,soaking and sterilizing.
研究枣汁加工过程中还原型VC(ascorbic acid,AA)和氧化型VC(dehydroascorbic acid,DHA)变化及其控制,通过观测枣汁软化、浸提和杀菌工序中还原型VC和氧化型VC保存率的变化,来研究其变化规律。
3.
Physic acid could increase haw\'s ascorbic acid and dehydroascorbic acid retention distinctly.
结果表明,植酸对3种水果打浆工序中还原型VC和氧化型VC的保护效果不一,植酸可以明显提高山楂打浆中的还原型VC和氧化型VC保存率;对猕猴桃仅提高其氧化型VC保存率,不能提高还原型VC保存率。
2)  DHA
氧化型Vc
1.
Studies on the Change of Kiwifruit Jam's AA and DHA during Its Processing;
猕猴桃酱加工中还原型Vc和氧化型Vc变化的研究
2.
Changes of the contents of ascorbic acid (AA) and dehydroascorbic acid (DHA) in the pretreatmentprocess of strawberry were studied.
清洗、热烫、打浆等加工过程均导致草莓还原型VC保存率显著下降,而氧化型VC保存率变化不大。
3)  LDHA
氧化型Vc
1.
In this paper, effect of cutting process on the content of L-ascorbic acid( LAA ) and L-dehydroascorbic acid( LDHA) in kiwifruit were studied.
研究了猕猴桃加工工艺中打浆工序对猕猴桃中的还原型Vc和氧化型Vc含量的影响及在打浆前添加抗氧化剂对控制打浆工序中猕猴桃Vc损失的效果。
2.
In this paper, the effects of cutting and pulping process on the conten ts of L-ascorbic acid(LAA) and L-dehydroascorbic acid(LDHA) in six kinds of frui ts, such as kiwifruit and grape are studied.
研究了切分及打浆工序对猕猴桃、葡萄等六种水果中的还原型Vc和氧化型Vc含量的影响。
4)  VC oxidase
VC氧化酶
5)  ascorbic acid
还原型Vc
1.
Study on the Contents and Stability of Ascorbic acid and Dehydroascorbic Acid in Different Fruits;
水果还原型VC和氧化型VC的含量及稳定性研究
2.
Change law of ascorbic acid(AA) and dehydroascorbic acid(DHA) in Chinese date juice during processing were studied through determinming their retention rates in the operating steps of microwave softening,soaking and sterilizing.
研究枣汁加工过程中还原型VC(ascorbic acid,AA)和氧化型VC(dehydroascorbic acid,DHA)变化及其控制,通过观测枣汁软化、浸提和杀菌工序中还原型VC和氧化型VC保存率的变化,来研究其变化规律。
3.
Physic acid could increase haw\'s ascorbic acid and dehydroascorbic acid retention distinctly.
结果表明,植酸对3种水果打浆工序中还原型VC和氧化型VC的保护效果不一,植酸可以明显提高山楂打浆中的还原型VC和氧化型VC保存率;对猕猴桃仅提高其氧化型VC保存率,不能提高还原型VC保存率。
6)  drafting system VC
VC型牵伸
补充资料:增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
      耗尽型MOS晶体管用作负载管,增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器(图1),并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
  
  
  特点  E/D MOS电路的速度快,电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下,充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中,作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源(栅与源相连,其电压uGS=0)状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS~VDS曲线,沿纵轴翻转180o,取出其中uGS=0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载(图2)。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路,可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5~1/8。此外,由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失,最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此,比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好,为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比,E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
  
  
  结构与工艺  只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同(见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路)。其中耗尽管的初始沟道,是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接,在生长多晶硅之前,需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面:引用氮化硅层实现选择性氧化,降低了场氧化层的台阶;②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子;③硅栅自对准:用多晶硅作栅,可多一层布线。结合自对准,可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
  
  
  采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路,已达到tpd≈4纳秒,功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门/毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路(见互补金属-氧化物-半导体集成电路)比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合,是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
  

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参考词条