1) Crystal face
晶面
1.
In this paper,the relationship between the crystal face index and the film quality in the vapor epitaxial growth of single crystal diamond film is analyzed,and it points out that the key factor which insures the film quality is to control the experimental conditions.
分析了气相同质外延单晶金刚石膜中晶面指数与薄膜品质的关系 ,指出了控制实验条件是确保各晶面薄膜品质的关键 。
2) crystal plane
晶面
1.
Silver gets (200) and (111) preferred orientation in stainless steel and TiN of crystal plane respectively.
银在不锈钢和TiN膜上的晶面择优取向分别为(200),(111)。
2.
Two kinds of hexagonal column-like ZnO crystals with different exposure of(0001) crystal plane were prepared by changing the hydrothermal treatment time.
通过改变水热反应时间制得了2种(0001)晶面显露情况不同的六方短柱状ZnO微晶。
3) crystallographic plane
晶面
1.
Using the analytical methord of reciprocal lattice, the author has approched the relationship between the wide crystallographic planes(HKL)and crystal interplannar specings d_(HKL), and the crystallographic planes(hkl) and crystal interplanar spacings d_(hkl).
用倒易点阵分析法探讨Bravais晶格点阵广义晶面(HKL)及面间距d_(HKL)与晶面(hkl)及面间距d_(hkl)之间关系。
4) crystal surface
结晶表面;晶面
5) crystal lattice interface
晶格界面
1.
Molecular dynamics simulation of adsorption of PLL (poly-lysine) on crystal lattice interfaces;
分子动力学模拟聚赖氨酸在晶格界面上的吸附
6) crystal interface
晶体界面
1.
By analyzing the structure of catalyst crystal,the effect of temperature on the lattice structure of catalyst metal and the solubility and diffuse velocity of carbon in catalyst,the effect of other elements added in catalyst metal on the activity of carbon and the effect of separating energy,crystal interface etc.
通过对催化剂晶体结构的分析,讨论了温度对催化剂金属晶格结构的影响,温度对催化剂中碳的溶解度与扩散速度的影响;催化剂金属中其他元素的加入对碳活度的影响,以及析出能量、晶体界面等对碳纳米管生长的影响。
补充资料：晶面
晶体在自发生长过程中可发育出由不同取向的平面所组成的多面体外形，这些多面体外形中的平面称为晶面。特定取向的晶面必定与晶体中对应的一组互相平行的平面点阵相平行。可以规定一套整数hkl来反映某特定晶面及其相应平面点阵组的取向，这一套整数称为晶面指标。晶面(或平面点阵组)指标的严格定义是晶面在三个晶轴上的倒易截数之比。设a、b、c为晶体的一套基向量，晶面在a轴、b轴、c轴上所截长度分别为ra、sb、tc,则r、s、t为晶面在三个晶轴上的截数，而为倒易截数。将晶面在三个晶轴上倒易截数之比化为一组互质整数,即则这一套互质整数即为晶面指标,用(hkl)符号来表示。图中示出金属铜单晶的晶面指标及其相应取向。
晶体在实际生长过程中，基于能量的原因，一般是指标小的晶面较易在晶体的外形中呈现出来。不同指标、不同取向的晶面由于原子、离子、分子排列上的差异，将具有不同的物理和化学性质，这是晶体各向异性的一种表现。
晶面间距定义为与晶面对应的平面点阵组中相邻平面点阵的垂直距离。如对具有简单立方点阵型式的晶体，指标为hkl的晶面间距dhkl与晶胞参数a有dhkl＝的关系。对于具有带心点阵型式的晶体，计算dhkl值时要作一定的修正。
晶体在实际生长过程中，基于能量的原因，一般是指标小的晶面较易在晶体的外形中呈现出来。不同指标、不同取向的晶面由于原子、离子、分子排列上的差异，将具有不同的物理和化学性质，这是晶体各向异性的一种表现。
晶面间距定义为与晶面对应的平面点阵组中相邻平面点阵的垂直距离。如对具有简单立方点阵型式的晶体，指标为hkl的晶面间距dhkl与晶胞参数a有dhkl＝的关系。对于具有带心点阵型式的晶体，计算dhkl值时要作一定的修正。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条