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1)  vacuum arc deposit
真空电弧沉积
1.
Ti(C,N) deposits on high speed steel slice and single crystal silicon slice were prepared by plasma auxiliary vacuum arc deposition technology.
 利用等离子辅助真空电弧沉积技术分别在高速钢片和单晶硅片制备了Ti(C,N)涂层,通过X 射线衍射和扫描电镜研究了不同离子加速电压对单晶硅片上涂层结构和组织形貌的影响,并测定了高速钢片上涂层的显微硬度,同时进行了耐磨性实验。
2)  vacuum arc deposition(VAD)
真空电弧沉积(VAD)
3)  Vacuum arc deposition
真空弧沉积
4)  vacuum cathodic arc deposition
真空阴极电弧沉积
5)  CVAD
阴极真空电弧离子沉积
1.
MgO thin films deposited on Si(100) were prepared by cathodic vacuum arc deposition(CVAD) at different oxygen flow rates.
采用阴极真空电弧离子沉积技术在硅基片上制备出了MgO薄膜。
6)  pulse vacuum arc deposition
脉冲真空电弧沉积(PVAD)
补充资料:有色金属合金真空电弧炉熔炼


有色金属合金真空电弧炉熔炼
melting of nonferrous metal and alloy in circular furnace

  youse]inshu helin zhenkong dlanhu.u ronglian有色金属合金真空电弧炉熔炼(meltingofnonferrous metal and alloy in vaeuum are fur-nace)在真空条件下用电弧放电产生的高温进行的有色金属的熔炼。真空电弧炉的结构如图所示,由炉体、电源、真空系统、电控系统、光学系统和水冷系统组成。炉体部分由炉壳、电极、结晶器及电极升降装置构成。工作时,在电极(负极)和水冷铜结晶器〔正极)形成的两极之间,建立低电压(20一4oV)大电流(若干kA),产生电弧放电,靠电弧释放出的热量来熔化金属。电炉一般是直流供电,一根电极。按照熔炼过程中电极是否消耗(熔化),分成非自耗电极电弧炉熔炼和自耗电极电弧炉熔炼两种。非自耗电弧炉,电极用钨等高熔点材料制成,电弧熔炼时电极本身并不熔化,是永久性的。自耗电极电弧炉的电极采用被熔炼材料制成,如熔炼钦时电极通常用海绵钦压制而成,在熔炼过程中电极本身被熔化。电极升降装置随着电极的不断消耗使电极稳定下降,以保持两极的距离和电弧的稳定。真空自耗电弧炉熔炼一般是在1.3~1.3X10一’Pa的炉内压力下进行。电弧温度可高达s000K。电极熔化的液滴通过弧区时,便会产生强烈的挥发、分解、花合等脱气、去除杂质的净化作用,然后滴入水冷铜结晶器中凝固成铸锭。真空电弧熔炼不使用耐火材料,熔炼高熔点难熔金属钨、钥、担、妮和活性很高的钦和错时可不受耐火材料的污染。炉料边熔化边凝固可消除缩孔、中心疏松和偏析等常见铸锐缺陷,使加工性能优良。水 真空电弧炉示意图 1一水冷铜结晶器;2一操作合:3一光学观察系统; 4一电极升降装置;5一电极杆;6一炉壳;7一电极; 8一真空系统;9一电弧;10一铸锭 电流和电压是真空电弧熔炼的主要工艺参数。电流大时,电弧温度高、金属熔化快、铸锭表面质量好,但增大了熔池深度,易使柱状晶径向发展和粗化,促进疏松和偏析,夹杂物易集中铸锭中心。电流小时,熔化率低,熔池浅平,有利于轴向柱状晶生长,夹杂物分布均匀,铸锭致密度高。电流密度要根据合金的性质和电极直径来确定。一般合金熔点高、流动性差的金属,电极直径小时要用大的电流密度,反之用小的电流密度。电压对电弧的稳定有很大影响:电压太低不足以形成弧光放电;而电压太高产生辉光放电,使电弧失去稳定。因此,要使电弧稳定必须将电压控制在一定范围内。熔炼钦、错等合金时,工作电压为25一45V;熔炼担、钨等合金时,工作电压可达60V。为了使电弧聚敛和能量集中,避免产生侧弧,在结晶器周围设置稳弧线圈。线圈产生与电弧平行的纵向磁场,使电弧中向外逸散的带电质点向内压缩,电弧旋转而聚敛,提高了电弧稳定性。电弧旋转也带动熔池旋转,使成分均匀并改善了铸锭表面质量。
  
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