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1)  γ→εboundary
γ/ε相界
2)  γ ε transformation
γ ε相变
3)  γε transformation
γ≒ε相变
4)  γ/γ' interface
γ/γ'相界
1.
By using the discrete variational Xα (DV-Xα) method, the electronic and bonding structures of γ/γ' interfaces with and without Ir addition in Ni-base single crystal superalloys were calculated in the framework of the first-principles theory.
采用非相对论第一原理分子轨道DV-Xα模型簇方法,计算了Ni基单晶超合金γ/γ'相界的电子结构,并从键重替聚居数(QAB)、界面原子层间的部分键合强度,以及界面原子局域环境总键合强度几个方面,对Ir合金化前后γ/γ'界面的结构稳定性、脆化特性、相间断裂的难易程度等几个方面对γ/γ'相界的结构特性进行了分析。
5)  γ→ε martensite transformation
γ→ε马氏体相变
6)  Constrainedε→γReverse Martensitic Transformation
约束ε→γ逆相变
补充资料:相界
      由结构不同或结构相同而点阵参数不同的两块晶体相交接而形成的界面。沉淀相与基体间、外延层与衬底间、马氏体与母相间的界面均为相界。其中,两晶相间无一定位相关系者称非共格相界;两晶相同保持一定位相关系,且沿界面有相同或相近原子排列者,称共格或准共格相界。C.S.史密斯曾经对非共格相界的能量进行过估计,结果表明其量级不大于大角度晶界。
  
  由于相界与晶体完整性、相变过程以及其他许多性质间存在密切关系,尤其是准共格相界在外延生长及马氏体相变中的实际重要性,人们对相界的结构进行了深入研究,F.C.夫兰克等用一简化模型进行理论处理,结果表明:当界面处两晶相的错配度甚小时,以纯弹性应变的方式容纳错配;当错配度较大时,则需引入相应的错配位错行列或网络以弛豫错配引起的大部分弹性畸变,形成错配位错界面。模型所预期的结果不仅为皂泡筏模型(见图)的观测结果所证实,而且由此模型出发对一些实际问题计算所得的结果,也已为近年来的电子显微镜直接观测结果所进一步确证。此外,人们还利用这一理论结果,人为地控制减小错配度,在控制错配位错的分布或消除错配位错方面取得了初步成功。
  
  

参考书目
   J.M.Matthews,Misfit Dislocations,F.R.N.Nabarro,ed.,Dislocations in Solids, Vo1.2,North-Holland,Amsterdam,1979.
  

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