1) PLZT thin films
PLZT薄膜
1.
Investigations of concentration effects of La on the infrared optical properties of PLZT thin films;
La掺杂浓度对PLZT薄膜红外光学性质的影响
2.
The electro-optic index of PLZT thin films was measured by means of modulated ellipsometry.
利用调制式的椭偏仪测量了掺镧锆钛酸铅PLZT薄膜的电光系数。
2) PLZT thin film
PLZT薄膜
1.
It is an important means to produce optical phase shifter with PLZT thin film which had high performances, such as strong electro-optical effect, fast response speed, good heat stabilization and strong laser endurance.
本文探讨了氩氧比、退火温度、保温时间对PLZT薄膜的微结构、电性能及光学性能的影响;初步探索了利用PLZT电光薄膜实现光学相控阵的原理及其可行性。
3) PLZT ferroelectric thin films
PLZT铁电薄膜
1.
Preparation and properties of PLZT ferroelectric thin films
PLZT铁电薄膜的制备及其性能
2.
In recent years, PLZT ferroelectric thin films have gained attention in processing methods and applications.
近年来,PLZT铁电薄膜制备方法与应用研究引人注目。
4) PLZT amorphous films
PLZT非晶薄膜
5) PLZT nanosized film
PLZT纳米薄膜
6) PLZT ceramic target and thin films
PLZT陶瓷与薄膜材料
补充资料：PLZT
分子式：
CAS号：
性质：锆钛酸镧铅Pb(1-x)LaxZrTiO3固溶体为主晶相的透明铁电陶瓷。其中Zr/Ti摩尔比约为0.65/0.35，x=0.02～0.12。主要原料为四氧化三铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛。可采用固相法合成。也可采用化学共沉法制取(制品为粉料，有助提高透明度)。该陶瓷通常采用热压烧结工艺(压力为15～40MPa，温度为1100～1250℃)，保持10～30h，可获得几乎全透明铁电陶瓷。外加电场可引起极化状态变化或相变，并引起光学性质变化(如双折射率，散射，表面变形及静电现象等)。主要可用作光开关(如核热闪光护目镜及立体观察镜)，图像存储器，显示器及感光显像管(器)等。
CAS号：
性质：锆钛酸镧铅Pb(1-x)LaxZrTiO3固溶体为主晶相的透明铁电陶瓷。其中Zr/Ti摩尔比约为0.65/0.35，x=0.02～0.12。主要原料为四氧化三铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛。可采用固相法合成。也可采用化学共沉法制取(制品为粉料，有助提高透明度)。该陶瓷通常采用热压烧结工艺(压力为15～40MPa，温度为1100～1250℃)，保持10～30h，可获得几乎全透明铁电陶瓷。外加电场可引起极化状态变化或相变，并引起光学性质变化(如双折射率，散射，表面变形及静电现象等)。主要可用作光开关(如核热闪光护目镜及立体观察镜)，图像存储器，显示器及感光显像管(器)等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条