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1)  magnetoresistance effect
磁阻效应
1.
This paper introduces the principles of several magnetoresistance effects in details.
对几种磁阻效应作用机理和磁阻元件在传感器中的应用进行了综述,详细介绍了几种磁阻传感器的工作原理,对几类常用的磁阻传感器的性能进行了比较,并对磁阻传感器的发展进行了展望。
2.
It is shown that there exists a significant transmission difference for electrons through parallel and antiparallel magnetization configurations,which leads to a considerable magnetoresistance effect.
由于电子通过器件的平行和反平行磁化构型的透射几率显著不同,因而该器件拥有相当的磁阻效应
3.
Using the divalence element Sr to replace the position of La in LaMnO 3 materials,  La 1-x Sr x MnO 3 materials has been successfully prepared with excellent single phase and distorted perovskite structure and magnetoresistance effect.
利用二价金属元素Sr 对LaM nO3 材料进行了La 位替代,成功地制备了单相性好、具有扭曲钙钛矿结构和磁阻效应的La1- x Srx M nO3 材料。
2)  magnetoresistive effect
磁阻效应
1.
Magnetoresistive effect of semiconducting diamond films;
半导体金刚石膜的磁阻效应
3)  Magneto Resistance Effect
磁阻效应
4)  giant magnetoresistance
巨磁阻效应
5)  magnetoresistance effect
磁电阻效应
1.
Research of tunneling magnetoresistance effect in ferromagnet-nonmagnetic impurity-ferromagnet system;
铁磁-非磁性杂质-铁磁隧道结磁电阻效应
2.
Phase separation and colossal magnetoresistance effect in a small-world network;
小世界网络中的相分离和超大磁电阻效应
3.
Charge-ordering and magnetoresistance effect in the half-doped Pr_(0.5)Ca_(0.5)Mn_()1-xCr_xO_3 system;
半掺杂Pr_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Cr_xO_3体系的电荷有序和磁电阻效应
6)  large magnetoresistance
庞磁阻效应
补充资料:变磁阻式传感器
      将位移、转速、加速度等非电物理量转换为磁阻变化的传感器。它包括电感式传感器、变压器式传感器和电涡流式传感器。
  

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