说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 氮化钛/氮化铝纳米多层膜
1)  TiN/AlN nano-multilayer films
氮化钛/氮化铝纳米多层膜
1.
TiN/AlN nano-multilayer films were prepared on single crystal silicon wafer and high-speed steel using a new sputtering setup designed and manufactured based on high-rate reactive magnetron sputtering.
采用新型高速反应真空磁控溅射系统制备了氮化钛/氮化铝纳米多层膜,探讨了周期(λ)对多层膜力学性能及抗磨性能的影响;在微钻针及车刀表面分别制备了上述多层膜,并分别对电路板以及中碳钢棒进行实机加工测试,以验证其实用性。
2)  TiN nanometer film
氮化钛纳米膜
3)  nano-titanium nitride
纳米氮化钛
1.
The friction and wear properties of polytetrafluorethylene (PTFE) composites filled with nano-titanium nitride (TIN) were evaluated with an MM-200 friction and wear tester.
利用摩擦磨损试验机考察了填料含量及载荷对纳米氮化钛(TiN)填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料摩擦磨损性能的影响,采用扫描电子显微镜观察分析磨损表面形貌,探讨了磨损机理。
4)  AlN nano-particles
纳米氮化铝
5)  nano-silver/nitrogen-titania films
纳米银/氮–氧化钛膜
6)  nano-nitride-layer
纳米氮化层
1.
This dissertation addresses the effects of doping with nano-nitride-layer (NNL) at the interfaces in the two structures: Cu/Co/Cu/Co/Cu and NiO/Co/Cu/Co/Cu.
(a)纳米氮化物界面掺杂对赝自旋阀Cu/Co/Cu/Co/Cu磁电阻的影响: 1)当在三明治Co/Cu/Co一个内界面掺杂时,由于纳米氮化层界面掺杂改变了界面散射的自旋相关性质,使其与Co层体散射的自旋相关性相反,导致反常磁电阻现象的出现;当在三明治Co/Cu/Co两个内界面同时掺杂时,两掺杂界面不同的微结构造成了反常磁电阻现象。
补充资料:叠氮化钠
分子式:N3Na     相对分子量:65 .01     CAS:26628-22-8
    叠氮化钠为无色六方形晶体,相对密度1.846。加热分解成钠和氮气。易溶于水,水中溶解度如下:10℃,40.16%;17℃,41.7%。pK=4.8。水溶液含NH3,加热至37℃,氨气逸走。溶于液氨,微溶于乙醇,不溶于乙醚。
   用途:叠氮化钠主要用于合成四唑乙酸、5-巯基-1H-1-甲磺酸二钠盐、头孢替胺侧链、甲基巯基四唑、叠氮酸、叠氮铅和高纯钠等,是头孢类的重要中间体。广泛用于自动血球计数仪、防腐、杀菌、汽车安全气囊及农用杀虫、杀菌剂。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条