1) yttrium and lanthanum ion implantation
钇和镧离子共注入
2) yttrium and cerium ion implantation
钇和铈离子注入
3) yttrium implantation
钇离子注入
1.
In the paper, the effect of yttrium implantation on the electrochemical behavior was studied by the measurement of potentiodynamic polarization curves.
通过对错表面进行不同剂量的钇离子注入及对电位极化曲线的测量,分析了钇离子注入对锆电化学行为的影响。
4) Lanthanum ion implantation
镧离子注入
5) Ce-La RE+ implantation
铈镧稀土离子注入
6) O ions co implanted
氧离子共注入
补充资料：离子注入（ionimplantation）
离子注入（ionimplantation）
用离子加速器将各种离子注入半导体材料，从而改变半导体材料的电学、光学或其他物理性质的半导体工艺技术，称为离子注入技术。自从20世纪70年代以来离子注入技术在半导体器件制备工艺中获得了广泛应用，是半导体器件工艺的最主要技术之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条