1) γ/γ' interface
γ/γ'相界
1.
By using the discrete variational Xα (DV-Xα) method, the electronic and bonding structures of γ/γ' interfaces with and without Ir addition in Ni-base single crystal superalloys were calculated in the framework of the first-principles theory.
采用非相对论第一原理分子轨道DV-Xα模型簇方法,计算了Ni基单晶超合金γ/γ'相界的电子结构,并从键重替聚居数(QAB)、界面原子层间的部分键合强度,以及界面原子局域环境总键合强度几个方面,对Ir合金化前后γ/γ'界面的结构稳定性、脆化特性、相间断裂的难易程度等几个方面对γ/γ'相界的结构特性进行了分析。
2) γ→εboundary
γ/ε相界
3) γ-Ni/γ'-Ni3Al interface
γ-Ni/γ'-Ni_3Al相界
4) γ-Ni/γ '-Ni3Al interface
γ-Ni/γ'-Ni3Al相界
5) γ-Ni/γ'-Ni_3Al interface
γ-Ni/γ′-Ni_3Al相界
6) γ/γ interfaces
γ/γ界面
补充资料：γ-Thiopropyl triethoxy silane
KH-580硅烷偶联剂国外相应的牌号有Z-6062，化学名称为γ硫丙基三乙氧基硅烷(γ-Thiopropyl triethoxy silane)，结构式为HSCH2CH2CH2Si(OC2H5)3,分子量238.41。无色透明液体，有特殊气味，相对密度(25℃／4℃)0.9773-0.9780。溶于乙醇。
适用于环氧树脂、聚氨酯等胶粘剂。贮存于阴凉、通风的库房内，防火、防潮。
适用于环氧树脂、聚氨酯等胶粘剂。贮存于阴凉、通风的库房内，防火、防潮。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条