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1)  Schrdinger equation
Schrdinger方程
1.
Morawetz multipliers and local regularity of Schrdinger equations;
Morawetz乘子与Schrdinger方程的局部正则性
2.
Collapse for a type of damped nonlinear Schrdinger equations;
一类阻尼非线性Schrdinger方程的坍塌性质
3.
Extension of the Schrdinger equation to the Dirac one by simple inference;
Schrdinger方程引申到Dirac方程的一种简单方法
2)  Schrdinger equation
Schrdinger方程
1.
Exact bound state solutions for one-dimensional Schrdinger equation with Coulomb-type potentials;
一维Schrdinger方程在Coulomb型势中的束缚态精确解
2.
The other is to combine the Schrdinger equation study with PCVD process to develop new photonic crystal fibers(PCFs).
根据对光纤基本概念的理论分析,提出了两个观点,其一是将任意截面光纤Maxwell方程研究和PCVD制造技术相结合,实现全波非零色散平坦光纤产业化和标准化;其二是将Schrdinger方程研究和PCVD制造技术结合,发展新型的光子晶体光纤(PCF)。
3)  Schrdinger equation
Schrdinger方程
4)  Schr dinger equation
Schr dinger方程
1.
This paper discusses a type of damped nonlinear Schr dinger equation with harmonic potential appearing in attractive Bose-Einstein condensates.
本文讨论出现在吸引玻色-爱因斯坦凝聚中的一类带调和势的阻尼非线性Schr dinger方程。
5)  Poisson-Schrdinger equation
Poisson-Schrdinger方程
1.
Effects of IPP on 2DEG in AlGaN/GaN heterostructure were investigated through the self-consistent solution of 1-D Poisson-Schrdinger equations.
从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发,通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,研究了逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结中2DEG浓度的影响。
6)  Schrdinger equation system
Schrdinger方程组
补充资料:泊松方程和拉普拉斯方程
      势函数的一种二阶偏微分方程。广泛应用于电学、磁学、力学、热学等多种热场的研究与计算。
  
  简史  1777年,J.L.拉格朗日研究万有引力作用下的物体运动时指出:在引力体系中,每一质点的质量mk除以它们到任意观察点P的距离rk,并且把这些商加在一起,其总和即P点的势函数,势函数对空间坐标的偏导数正比于在 P点的质点所受总引力的相应分力。1782年,P.S.M.拉普拉斯证明:引力场的势函数满足偏微分方程:,叫做势方程,后来通称拉普拉斯方程。1813年,S.-D.泊松撰文指出,如果观察点P在充满引力物质的区域内部,则拉普拉斯方程应修改为,叫做泊松方程,式中ρ为引力物质的密度。文中要求重视势函数 V在电学理论中的应用,并指出导体表面为等热面。
  
  静电场的泊松方程和拉普拉斯方程  若空间分区充满各向同性、线性、均匀的媒质,则从静电场强与电势梯度的关系E=-墷V和高斯定理微分式,即可导出静电场的泊松方程:
  
   ,
  式中ρ为自由电荷密度,纯数 εr为各分区媒质的相对介电常数,真空介电常数εo=8.854×10-12法/米。在没有自由电荷的区域里,ρ=0,泊松方程就简化为拉普拉斯方程
  
   。
  在各分区的公共界面上,V满足边值关系
  
  
  
  
  式中i,j指分界面两边的不同分区,σ 为界面上的自由电荷密度,n表示边界面上的内法线方向。
  
  边界条件和解的唯一性  为了在给定区域内确定满足泊松方程以及边值关系的解,还需给定求解区域边界上的物理情况,此情况叫做边界条件。有两类基本的边界条件:给定边界面上各点的电势,叫做狄利克雷边界条件;给定边界面上各点的自由电荷,叫做诺埃曼边界条件。
  
  边界几何形状较简单区域的静电场可求得解析解,许多情形下它们是无穷级数,稍复杂的须用计算机求数值解,或用图解法作等势面或力线的场图。
  
  除了静电场之外,在电学、磁学、力学、热学等领域还有许多服从拉普拉斯方程的势场。各类物理本质完全不同的势场如果具有相似的边界条件,则因拉普拉斯方程解的唯一性,任何一个势场的解,或该势场模型中实验测绘的等热面或流线图,经过对应物理量的换算之后,可以通用于其他的势场。
  
  静磁场的泊松方程和拉普拉斯方程  在SI制中,静磁场满足的方程为
  
  
  式中j为传导电流密度。第一式表明静磁场可引入磁矢势r)描述:
  
  
  
  在各向同性、线性、均匀的磁媒质中,传导电流密度j0的区域里,磁矢势满足的方程为
  
  
  选用库仑规范,墷·r)=0,则得磁矢势r)满足泊松方程
  
  
  式中纯数μr 为媒质的相对磁导率, 真空磁导率μo=1.257×10-6亨/米。在传导电流密度j=0的区域里,上式简化为拉普拉斯方程
  
  
  静磁场的泊松方程和拉普拉斯方程是矢量方程,它的三个直角分量满足的方程与静电势满足的方程有相同的形式。对比静电势的解,可得矢势方程的解。
  
  

参考书目
   郭硕鸿著:《电动力学》,人民教育出版社,北京,1979。
   J.D.杰克逊著,朱培豫译:《经典电动力学》下册,人民教育出版社,北京,1980。(J.D. Jackson,Classical Electrodynamics,John Wilye & Sons,New York,1976.)
  

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