1) Bridgman method
坩埚下降法
1.
Growth and optical spectra of Nd~(3+):LiNbO_3 crystals grown by Bridgman method;
Nd~(3+):LiNbO_3晶体的坩埚下降法生长及光谱特性
2.
The growth of Pb_2MoO_5 crystal by the vertical Bridgman method is reported in this paper.
本文报道了Pb2MoO5单晶的坩埚下降法生长工艺。
3.
3 mol% concentrations by the Bridgman method in congruent composition (Li_2O: 48.
应用坩埚下降法,以同成分化学摩尔分数比(Li2O:48。
2) Bridgman technique
坩埚下降法
1.
Some new techniques have been developed for the successful growth of these oxide crystals,such as continuing charge Bridgman technique and flux-Bridgman technique.
本文评述了氧化物晶体坩埚下降法生长的一些研究进展 ,重点介绍我们研究所在压电晶体、非线性光学晶体、弛豫铁电晶体、闪烁晶体、声光晶体、光折变晶体等方面的研究工作。
2.
High-quality and large size Li2B4O7 single crystals were grown by the modified vertical Bridgman technique.
以直径3英寸Li2B4O7晶体为籽晶,采用改进型坩埚下降法在Pt坩埚中生长了直径105mm、长度120mm、无宏观缺陷的高质量Li2B4O7,晶体。
3.
The CdWO4 single crystals were grown by the vertical Bridgman technique.
采用垂直坩埚下降法生长CdWO4单晶,生长单晶时炉体温度为1 350～1 400℃,固液界面温度梯度为30～40℃/cm,坩埚下降速率为0。
3) vertical Bridgman method
坩埚下降法
1.
Bismuth silicon oxide Bi_(12)SiO_(20)(BSO) single crystals were grown by the modified vertical Bridgman method.
采用改进的坩埚下降法成功生长了硅酸铋Bi12SiO20(BSO)单晶,探讨了工艺参数对晶体生长的影响。
4) high-pressure Bridgman method
高压坩埚下降法
1.
High quality ZnSe single crystals were grown by high-pressure Bridgman method(HPB)at 1530℃ under argon gas atmosphere.
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。
5) descending crucible with rotation technique
坩埚旋转下降法
补充资料：坩埚下降法
分子式：
CAS号：
性质：又称布里奇曼晶体生长法。一种常用的晶体生长方法。用于晶体生长用的材料装在圆柱型的坩埚中,缓慢地下降,并通过一个具有一定温度梯度的加热炉,炉温控制在略高于材料的熔点附近。根据材料的性质加热器件可以选用电阻炉或高频炉。在通过加热区域时,坩埚中的材料被熔融,当坩埚持续下降时,坩埚底部的温度先下降到熔点以下,并开始结晶,晶体随坩埚下降而持续长大。这种方法常用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶。
CAS号：
性质：又称布里奇曼晶体生长法。一种常用的晶体生长方法。用于晶体生长用的材料装在圆柱型的坩埚中,缓慢地下降,并通过一个具有一定温度梯度的加热炉,炉温控制在略高于材料的熔点附近。根据材料的性质加热器件可以选用电阻炉或高频炉。在通过加热区域时,坩埚中的材料被熔融,当坩埚持续下降时,坩埚底部的温度先下降到熔点以下,并开始结晶,晶体随坩埚下降而持续长大。这种方法常用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条