1) maximum splitting of ground state
基态分裂能
3) valley-orbit splitting
基态施主能级分裂
1.
The valley-orbit splitting is introduced into the inversion-layer charge model for silicon carbide based p-MOSFET.
通过引进基态施主能级分裂因素,对SiC基p-MOSFET的反型层电荷模型进行了改进。
2.
In SiC,the relations between the influence of valley-orbit splitting on ionization of dopant and doping concentration,temperature and the depth of dopant energy level were investigated systematically through theoretical computation.
对SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响,与温度、掺杂浓度和杂质能级深度的关系进行了系统研究。
4) EPR ground-state zero-field splitting
EPR基态零场分裂
6) Energies of ground state of molecules
分子基态能量
补充资料：晶体场分裂能
分子式：
CAS号：
性质：简称分裂能。配位化合物的中心原子的五个能量相等(五重简并)的d轨道，在不同配位体电场中转化(分裂)成一系列具有不同能量的d轨道，轨道分裂后，最高能级的d轨道与最低能级的d轨道之间的能量差，称分裂能。以Δ表示。例如在八面体场中d轨道分裂为tzg与eg两组。分裂能Δ0(下标0为八面体)=Eeg-Etzg=10Dq(Dq称场强参数)。晶体场分裂能的大小与配位化合物的几何构型、配位体电场强度和中心原子(离子)电荷及周期位置有关。分裂能和电子成对能决定配位化合物中价电子的排布。
CAS号：
性质：简称分裂能。配位化合物的中心原子的五个能量相等(五重简并)的d轨道，在不同配位体电场中转化(分裂)成一系列具有不同能量的d轨道，轨道分裂后，最高能级的d轨道与最低能级的d轨道之间的能量差，称分裂能。以Δ表示。例如在八面体场中d轨道分裂为tzg与eg两组。分裂能Δ0(下标0为八面体)=Eeg-Etzg=10Dq(Dq称场强参数)。晶体场分裂能的大小与配位化合物的几何构型、配位体电场强度和中心原子(离子)电荷及周期位置有关。分裂能和电子成对能决定配位化合物中价电子的排布。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条