1) TiO_2/Pd
TiO2/Pd
1.
MCM supported TiO_2 and TiO_2/Pd Photo-catalysts are prepared with porous material molecular sieve MCM as carrier.
用分子筛MCM多孔材料作载体,制备了负载型MCM-TiO2和MCM-TiO2/Pd催化剂。
2) Pd/TiO_2
Pd/TiO2
1.
A highly efficient Pd/TiO_2 catalyst for the liquid phase hydrogenation of maleic anhydride(MA) has been prepared by both the sol-gel method,and super critical fluid of ethanol drying (SCFE) technique.
采用溶胶-凝胶法和乙醇的超临界流体干燥法制备了一种高效的顺酐选择加氢Pd/TiO2催化剂,并作了X射线衍射谱、BET表面测试、透射电镜、程序升温还原、X射线光电子能谱等表征,在溶胶-凝胶法制备的Pd/TiO2催化剂上,反应压力为3MPa,反应温度为240℃时,顺酐的转化率为100%,丁酸的选择性达到了93。
2.
Ag/TiO_2 and Pd/TiO_2 samples were prepared by photodeposition,and then characterized by SPS and UV-Vis absorbance spectroscopy.
用光沉积法制备Ag/TiO2和Pd/TiO2催化剂样品,然后用表面光电压谱(SPS)和紫外可见吸收光谱(UV-Vis)对样品进行表征。
3) Pd-Fe/TiO_2
Pd-Fe/TiO2
1.
The process for preparing 3-chloro-4-fluoroaniline from 3-chloro-4-fluoro nitrobenzene via hydrogenation under atmosphere pressure using Pd-Fe/TiO_2 as the catalyst was studied.
研究了以Pd-Fe/TiO2作催化剂,3-氯-4-氟硝基苯常压加氢制备3-氯-4-氟苯胺的方法,考察了该催化剂对3-氯-4-氟硝基苯的常压加氢反应的性能,探讨了影响加氢反应的主要因素。
4) Pd deposited titania modified MCM 41
Pd/MCM-41-TiO2
5) Pd-loaded TiO_2
Pd负载纳米TiO2
6) Palladium
[英][pə'leidiəm] [美][pə'ledɪəm]
Pd
1.
Autocatalytic Electroless Deposition of Palladium onto p-Silicon (100);
Pd在p型单晶硅(100)表面自催化化学沉积(英文)
2.
Abstraction of Gold,Platinum and Palladium from Platinum and Palladium Concentrate;
从铂钯精矿中提取Au、Pt、Pd
3.
Separation and Extraction of Platinum and Palladium from the Furnace Ash;
从炉灰中回收和提纯Pt、Pd
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条