1) single electron
单电子
1.
Researching the robustness of single electron devices;
单电子电路的鲁棒性研究
2.
Theory of energy bands change the problem of multi-particle system into the problem of single electron.
介绍了能带理论,说明能带理论是一个近似理论,是把一个复杂的多体问题化成单电子问题。
3.
Based on the semi-classical theory of single electron phenomena, three circuits of SED were studied and compared with Monte Carlo simulation.
根据单电子现象的半经典理论 ,采用 Monte Carlo方法 ,对三种 SED电路进行模拟 ,结果发现 ,多岛单电子电路具有较强的抑制背景电荷极化效应的能力。
2) electronic unit
电子单元
3) monoenergetic electrons
单能电子
1.
Study on the influence factors of monoenergetic electrons absorption experiment in aluminum with EGSnrcMP Monte Carlo code;
用EGSnrcMP蒙特卡罗程序研究单能电子吸收实验中的影响因素
4) single photoelectron
单光电子
1.
The equivalent energy deposited in CsI(Tl) crystal of a single photoelectron of PMT has been measured.
PMT单光电子的发射对应于晶体中的能量沉积约为 0 。
5) electronic B/L
电子提单
1.
The application research of electronic B/L in international cargo transportation;
国际货物运输中电子提单的应用研究
2.
Studies on Electronic B/L and Legal Issues Concerned;
有关电子提单法律问题的研究
3.
This article introduces the new concept of the electronic B/L,theoretically discusses the transferring process of electronic B/L,and gives more direct comprehension with the diagram for references.
阐释了电子提单的新概念,对电子提单的流转过程做了理论性的探讨,并以框图的形式给读者更直观的理解。
6) electric monopole
电单极子
1.
It is shown that the magnetic monopole and the electric monopole can be generated on an unified model based on the Hopf bundle ( S 3=S 2×S 1 ) with the structure group U (1) .
证明磁单极子和电单极子可以在Hopf丛 (S3=S2 ×S1)的基础上统一生成 ,该丛有结构群U(1) 。
补充资料：超导体的单电子隧道效应
通常把两块金属电极中间夹一层很薄的绝缘层I(厚度为10-7厘米的数量级)的结构叫做隧道结。根据量子力学原理，电子可以通过这样薄的绝缘层。在隧道结两端有电压(V)时，能够产生足够大的可观测的电流(I)。这是隧道效应的一种。隧道电流的大小除与绝缘层的厚度有很大关系外，还与两个电极中电子态密度有关。电子态密度的特征会影响隧道结的伏安特性曲线I(V)的形状。
当两个电极都是正常金属N时,在不太高的电压（低于 1伏）范围内（如图中N-I-N情况）,I(V)是一条直线。它说明，在这个范围内，正常金属的电子态密度是一个与能量无关的常量。
若电极是超导体，I(V)曲线就复杂些。超导微观理论预言，超导体中单电子的态密度。这里 2墹是超导体的能隙宽度。当温度远低于超导体的临界温度时，对于一个电极是超导体S的隧道结,当eV<墹时除了在能隙上的激发电子可以通过结外，在能隙下的大量电子都不能通过结，因而电流很小；而当eV塼墹时能隙下的电子可以通过结，故电流陡然上升（如图中S-I-N 情况）。对于二个电极都是超导体的隧道结，I(V)曲线在处有一个极大值，在处有一个极小值，而在后电流陡然上升(如图S-I-S情况）。利用这些特点，可以很准确地测量超导体的能隙值。人们曾用这个方法研究了墹 随温度的变化关系,证明BCS理论预言的这个关系是正确的。
当一个电极是正常金属而温度接近0K时，根据理论可以证明，隧道结I(V)曲线的微商正比于另一个电极的态密度。人们用这个原理成功地测定了几十种超导体的态密度。实验表明,BCS理论的态密度公式基本上是正确的。但同时发现，对于某些超导体,特别是铅,实验的态密度曲线上有一些很小但不容忽视的附加结构。这在BCS理论的态密度公式中是不存在的（见超导微观理论）。
进一步的超导理论证明，当电子－声子耦合较强时，电子态密度曲线上就会出现有效声子态密度α2F(ω)引起的附加结构（见强耦合超导体）。由这种具有声子结构的电子态密度曲线可以计算出有效声子谱α2F(ω)。这里，α2是电子－声子耦合强度，F(ω)是声子态密度。到目前为止，人们已测定了数十种超导体的α2F(ω)。这对于检验超导理论以及研究超导体临界温度问题都有重要的意义。
由于超导体单电子隧道效应的重要性，它的创始人I.加埃沃和半导体隧道二极管的发明者江崎玲於奈以及超导体约瑟夫森效应的发现者共同获得了1973年的诺贝尔物理学奖。
在上述隧道效应中，电子的能量并不改变，属于弹性隧道过程。在穿越绝缘层时，电子也可以与其他粒子相互作用而改变能量,这就是非弹性隧道过程。当绝缘层表面存在某些杂质分子时，电子可以激发它们的转动能级或振动能级。此时,在隧道电流中,能量高于激发能E0的电子数会减少，使I(V)曲线在eV=E0处产生很微小的转折。这种转折在I(V)的二次微商曲线上表现为一个尖峰──谱线,人们将它称为非弹性电子隧道谱(IETS)。为了减小热运动所造成的谱线宽度以及提高灵敏度，IETS通常都是在4.2K以下的温区内测得的。利用超导体作电极，可进一步提高灵敏度。IETS与红外光谱和喇曼光谱同样可用来辨认分子的种类，比较起来，它的灵敏度更高些，可对极微量的杂质分子进行检测。空气污染分析和痕量物质分析是它的重要应用领域。
参考书目
L.Solymar,Superconductive Tunnelling and Applications,Chapman & Hall, London, 1972.
管惟炎、李宏成、蔡建华、吴杭生等著:《超导电性·物理基础》，科学出版社，北京，1981。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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