1) Hot Wall Epitaxy
热壁外延
1.
The CdTe/CdZnTe/Si thin film (Φ30mm) was grown with Hot Wall Epitaxy (HWE) technique.
用热壁外延法 (HWE)生长直径 30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜 ,经XRD测试说明它是晶面为 (111)取向的立方闪锌矿结构。
2.
This paper reports the growth of GaAs layer on Si substrate by hot wall epitaxy (HWE).
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在Si表面生长GaAs薄膜。
3.
GaAs polycrytalline thin films with good performance were prepared on conducting glass and Si by hot wall epitaxy (HWE) , which were suitable for solar cell .
本文介绍以Si和SnO_2／Glass两种材料为衬底，采用热壁外延的方法得到结构良好的，适合作GaAs太阳电池的GaAs多晶薄膜。
3) chemical activated hot wall expitaxy method
化学促进热壁外延法
4) A new type of HWE apparatus
新热壁外延生长装置
5) hydrothermal epitaxy
水热外延
6) thermal decomposition epitaxy
热解外延
补充资料：古意题徐令壁（一作题著作令壁）
【诗文】：
白云苍梧来。
氛氲万里色。
闻君太平世。
栖泊灵台侧。
【注释】：
【出处】：
全唐诗：卷84_54
白云苍梧来。
氛氲万里色。
闻君太平世。
栖泊灵台侧。
【注释】：
【出处】：
全唐诗：卷84_54
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