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1)  external carbon addition
外碳源投加
1.
Studies on external carbon addition cascade control strategy of predenitrification technology;
前置反硝化工艺外碳源投加串级控制策略研究
2.
To use carbon source sufficiently,five different external carbon addition control strategies were proposed based on different control parameters,ORP and on-line nitrate,and dosing positions,D3 and D4.
为合理、有效控制外碳源投量,针对不同控制参数(ORP和在线硝酸盐氮)及外碳源投加位置(D3和D4),提出5个外碳源投加控制策略,并从基建投资、处理效果、运行费用及维护等方面对控制策略进行比较。
2)  external carbon dose control
外碳源投加控制
3)  external carbon source
外加碳源
1.
The pilot-scale results show that when using glucose as external carbon source in the CBAF,the average removal rates of ammonia nitrogen and total nitrogen can reach 93% and 45%,and their concentrations in the effluent are 1.
结果表明,在以葡萄糖为外加碳源的情况下,该滤池对氨氮和总氮的平均去除率分别达93%和45%,出水氨氮和总氮的平均浓度分别为1。
2.
Through the test,the impacts of C/N ratio on nitrogen removal efficiency and denitrification rate were investigated,and denitrification capacity was discussed to determine the demand of external carbon source.
利用中试规模实验装置,探讨了现有活性污泥工艺改造成间歇曝气生物脱氮工艺的实践中,碳氮比(C N)对废水生物脱氮效率、脱氮反应速度的影响,分析了脱氮容量,确定了所需外加碳源量。
3.
Good simulation of activated sludge process with addition of an external carbon source can be obtained with WEST.
对活性污泥法的数学模拟结果表明,自养菌的氧饱和系数KO_AUT是硝化过程的灵敏性参数,PHA贮存速率常数QPHA是除磷过程的灵敏性参数,异养菌的氧饱和系数KO2是脱氮过程的灵敏性参数;WEST软件能对有外加碳源的运行结果进行模拟。
4)  external carbon addition
外加碳源
1.
Simulation of external carbon addition to anoxic-oxic process based on back-propagation neural network;
基于BP神经网络的A/O脱氮系统外加碳源的仿真研究
5)  carbon source amount
外加碳源量
1.
Moreover, in this paper, the energy consumption of Sharon process is discussed from the aspects of aeration amount, carbon source amount, reactor's volume and sludge amount.
简要介绍了SHARON工艺和SHARON-ANAMMOX组合工艺的基本原理、特点,并从曝气量、外加碳源量、反应器容积、污泥量四方面着重对SHARON工艺的能耗进行了分析与讨论,指出了SHARON和SHARON-ANAMMOX组合工艺是一种高效、节能、可持续发展的新工艺,对传统的生物脱氮工艺的改造具有极大的理论意义。
6)  external carbon dosage control
外投碳源控制
补充资料:河外射电双源和多重源
      河外射电展源中最典型的也是数量最多的(占40%)一种是双源。双源的最普遍的特征是,在相隔几万至两百万光年的距离上形成两块射电瓣(又称为子源)。证认出的光学对应体(星系或类星体)往往位于此两子源连线的中心。子源的远离光学母体的外边缘处射电亮度变化很陡,而且更接近最大值(此区域常是1″量级大小的致密成分),而向光学母体方向的则是亮度逐渐减弱的辐射延伸部分。最典型的代表是天鹅座A(见射电星系)。有时,光学母体两边是以两个强的外子源为主体的多个子源的组合结构,但仍然成为近似对称分布的所谓多重源。这种直线和对称排列的双源特征,在其所属的光学母体的致密射电区内有时能重现,就是说在不到双源的10-4~10-5的范围内,即在光学体小于0奬01(或几十光年)的区域内,仍然有成双的小致密源出现,而且里、外双源的连线基本上是一致的,例如,3C326、33C111、3C390.3、3C405等射电源。
  
  双源的普遍特性,如流量不变化,具有幂律谱 (Svv,平均频谱指数α 约为0.75), 有百分之几的线偏振而没有圆偏振,磁场为10-4~10-5高斯,射电光度强(1040~1045尔格/秒), 能量高(1058~1081尔格)等等都与一般展源相同。对双源已进行了大量的观测统计,得出的结果是两个子源的流量密度相差不大,平均只差40%。两个子源与光学母体的距离也相差不大,双源中较亮的子源更靠近光学母体,直径较小,频谱较平。两个子源之间的距离约为子源直径的 2~4倍。在双源间距为 6~100万光年的范围内,不同射电源的子源大致以同样方式膨胀和相互分离, 形成了从中心向外抛射的圆锥体(圆锥角约20°~50°)。源的光度越大,双源之间的距离越大,抛射圆锥也就越窄。射电源主轴方向(两个子源的连线方向)与光学星系主轴方向成各种交角,表明二者没有相关性。同样,射电源主轴与偏振方位角之间也没有明显的相关性。以全部双源为例进行统计,没有发现射电光度与频谱指数或展源直径或光学亮度之间有什么关系。子源明亮头部的线偏振只有百分之几,而在延伸向光学母体的局部地区的线偏振则达到百分之几十,甚至高达百分之七十。
  
  双源和多重源的这些特性提出了三个必须解决的问题:①成双的对称性和一线排列问题;②在极其稀薄的介质中,子源抛射膨胀成形而不瓦解的约束机制问题;③巨额能量的来源和转换方式以及如何向子源进行输运的问题。目前流行的模型基本上有三种:等离子体团抛射及膨胀,大质量物体的一次抛射,连续喷射束。
  
  

参考书目
   A.G.Pacholczyk,Radio Galaxies,Pargamon Press, Oxford, 1977.
  

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