1) AlN-BN ceramics
AlN-BN陶瓷
2) AlN-BN composite ceramics
AlN-BN复合陶瓷
1.
Influence of AIN powder characteristic on densification of AlN-BN composite ceramics;
AlN粉末特性对AlN-BN复合陶瓷致密化的影响
3) AlN/BN ceramic composites
AlN/BN复相陶瓷
5) BN-AlN ceramic
BN-AlN复相陶瓷
1.
This thesis mainly consists of three aspects: synthesis of BN ceramic fibers from precursor, preparation of BN powders and hot-pressed BN-AlN ceramic composites.
本文对BN的研究主要包括三个方面：BN粉末的合成；先驱体法合成BN纤维；热压制备BN-AlN复相陶瓷。
6) BN-AlN composites
BN-AlN基复相陶瓷
1.
3×10-4) at Ka frequency bands,and BN-AlN composites,which have a high thermal conductivity(78.
利用无压烧结制备出AlN陶瓷及BN-AlN基复相陶瓷。
补充资料：aluminium nitride material AlN
分子式：
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条