1) fractal growth
分形生长
1.
A transient phenomenon from equilibrium growth to fractal growth was observed on the surface of silicon wafer cooled at a rate of 1 000℃/min.
当样品的冷却速率达到1 000℃/min时,在硅衬底表面上观察到从平衡生长到分形生长的突变现象。
2.
The fractal structure was described and the growth mechanism was studied according to an experimental study of fractal growth.
利用透射电子显微镜 (TEM)在纳米尺度上直接观察由氮化硅分解出的硅蒸气在蒸发 凝聚过程中产生的分形生长这一实验现象 ,结合相对应的有限扩散凝聚 (DLA)模型以及核晶凝聚 (NA)模型 ,对所获得的分形结构进行了描述和讨论 ,并探讨了分形生长的发生机理。
3.
An experimental study of fractal growth during TEM observations on sintered silicon nitride is reported.
本文报道了直接利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）中的透射电子束辐射氮硅使之分解，从而可利用ＴＥＭ在纳米尺度上直接观察到氮化硅分解出的硅蒸气在挥发凝聚过程中产生的分形生长全过程，为深入研究分形生长这一自然界最普遍的现象提供了极佳的实验范例。
2) dynamics of fractal growth
分形生长动力学
3) multi-shape stand growth model
多形林分生长模型
4) growth morphology
生长形态
1.
X-ray diffraction (XRD) was used to identify the phases in the laser cladding layer,and the growth morphology of the boundary zone between the laser surface cladding layer and AZ91D substrate was observed by optical microscope and scanning electron microscope (SEM).
用X-ray衍射确定激光熔覆层的相结构,用光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察激光熔覆层和AZ91D基体之间的结合区域的生长形态。
2.
The characterization,the growth morphology the interface zone and the distribution of Al2O3 particles in the cladding layer were observed by AFM, HRTEM and SEM.
用扫描电镜、高分辨透射电镜和原子力显微镜对涂层与AZ91D镁合金基体界面结合区生长形态和特征以及涂层中Al2O3粒子的分布进行了观察,用能谱仪对界面结合区的元素线扫描,用X射线衍射分析确定了涂层及基体中的相组成。
3.
After reasoning,the Cu~(2+) ion and H~+ ion have important effect on the transformation of the growth morphology in the zinc electrodeposition.
分析了沉积物形态转变的原因后认为,Cu2+和H+等杂质对生长形态转变起主要作用。
5) morphology
[英][mɔ:'fɔlədʒi] [美][mɔr'fɑlədʒɪ]
生长形态
1.
The analysis of morphology evolution of KABO crystal;
KABO晶体生长形态演化机理的分析
2.
Effects of nitrogen supply on Parthenocissus tricuspidata seedling morphology and nitrogen allocation;
供氮水平对爬山虎幼苗生长形态和氮分配的影响
3.
Solid dendritic and hollow flower-like SrCO3 particles have been synthesized via adding surfactants CTAB and SDBS as chemical additives to regulate the morphology of the crystal.
以表面活性剂CTAB和SDBS为化学添加剂,采用化学共沉淀法对碳酸锶晶体的生长形态进行调控,成功地制备出了实心的树枝状和花瓣为空心的花状碳酸锶粉体,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)等分析手段对样品进行了表征;最后重点对化学添加剂可能产生的影响机理进行了初步的探讨。
补充资料：分形生长和扩散限制聚集模型
分形生长和扩散限制聚集模型
fractal growth and diffusion-limited aggregation model
性质上具有的特征。 长期以来，人们往往把图形或几何对象的维数与空间维数等同起来，实际上并不一定如此。现把一个D维的几何图形，每一维的尺寸放大，倍，就得到尼个与原来图形相似的几何图象，于是有 羟一lD豪斯道夫把 、 D：器称为几何图形的维数，人们则称它为豪斯道夫维数。一个正方形，把它每边放大3倍，得到9个与原来正方形相似的图形，得D=2，这与直观的空间维数正好吻合。但若把一单位长度线段三等分，然后把中间一段去掉，剩下的两段各自再三等分并舍去中段，这样重复地进行下去，就可以获得无数个中间有空隙的线段(图1)。取0～寺线段，尺寸放大3倍(，：3)，，为一单位线段，去掉中间1／3，则0～寺和2／3～1线段与原来线段完全相同，即尼=2，于是 D：罢兰0．6309图l D圭O．6309的分形图象可见豪斯道夫维数不限于整数。在这个例子中其值小于1，比线段的空间维数小。对DLA模型求出的粒子簇，利用密度相关函数，求得聚集结构的豪斯道夫维数，对二维空间D圭1．7，三级空间D兰2．4。这一类维数D低于相应空间维数，具有标度不变性的无穷嵌套的几何图象，人们称它为分形。a胞状界面难酾瓣 b枝晶图象 图2界面形态的计算机模拟 对DLA模型作些推广和修正，可以从微观上研究生长界面失稳后的界面形态的演变。例如T．维赛克分形生长和扩散限制聚集模型fractal growthand diffusion一limiteda创犷egation model扩散限制聚集模型是应用计算机模拟微粒无规扩散聚集的粒子簇图象的一种几何模型。简称DLA模型。是研究分形生长的主要方法。 20世纪70年代，B.B.曼德尔布罗特(Mandel-brot)开始对分形作广泛的研究，揭示了自然界许多现象的分形本质。80年代初，T.A.威滕(Witten)和LM.桑德(Sander)应用计算机模拟微粒无规扩散聚集过程，提出了扩散限制聚集模型。它很快被应用于物理学的许多方面，而且被实验所证实。模拟的方法是，首先在晶格中心处放一个种子微粒;将另一微粒放入晶格内作无规行走，到达种子微粒的最近邻停下来;然后再放出一个微粒无规行走到前两个微粒最近邻，又停下来。让这一过程重复进行，最后在晶格中心形成一个相当大的粒子簇。 自然界存在着许多研究对象，它们具有标度不变的性质，即采用不同放大倍数来观察，图象都是相似的。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条