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1)  GaAs single crystal
砷化镓单晶
1.
Plastic deformation induced by indentation in a GaAs single crystal was investigated using electron microscopy in the present experiment.
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。
2.
049N Vickers indentation in GaAs single crystal has been investigated using high-resolution electron microscopy.
049 N载荷 Vickers压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究,结果表明。
2)  HB-GaAs single ctystle
水平砷化镓单晶
3)  gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓单晶
4)  indium gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓铟单晶
5)  indium gallium arsenide single crystal
砷化镓铟单晶
6)  gallium aluminum arsenide single crystal
砷化铝镓单晶
补充资料:砷化镓单晶
分子式:GaAs
CAS号:

性质:周期表第III、V族化合物半导体。共价键结合、有一定的离子键成分。立分晶系闪锌矿型结构。密度5.307g/cm3。熔点1238℃。导带为双能谷结构,为直接带隙半导体,室温禁带宽度1.43eV。本征载流子浓度1.1×1013/m3。纯晶体的电子和空穴迁移率为0.8和(1~3)×10-2m2/(V·s)。采用区域熔炼和直拉法制备单晶,用扩散、离子注入、外延、蒸发等方法制备pn结、异质结、肖特基结,用分子束外延等方法制备超晶格材料。是制备高频、高温、高辐射、低噪声器件的材料。也是制备近红外发光、激光器件和光电阴极的材料,利用其双能谷结构可制作耿氏器件

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