1) alumina sources
铝源
1.
The thermostability of Bafree and Bamodified aluminas derived from different alumina sources including pseudoboehmite, alminum sulfate and aluminum nitrate, after calcination at 1 000 ℃ or 1 150 ℃ for 6 h, have been characterized of BET specific surface area (BET) and Xray powder diffraction (XRD).
使用BET和XRD对拟薄水铝石、硫酸铝和硝酸铝制得的氧化铝,以及由这三种铝源经过钡改性制得的氧化铝,在1000℃和1150℃下焙烧后的比表面积和晶型进行了考察。
2) organic aluminum source
有机铝源
补充资料：有机铝源
分子式：
CAS号：
性质：指用于金属有机化合物气相沉积(MOCVD)具有很高挥发性的有机铝及有机铝加合物的化合物。主要有三甲基铝[(CH3)3A1]、三乙基铝[(C2H5)3A1]、三异丁基铝[(C4H9)3A1]、二异丁基氢化铝[(C4H9)2A1H]、二甲基氢化铝[(CH3)2A1H]、二甲基氢化铝三甲胺加合物[(CH3)2A1HN(CH3)3]、二乙基氢化铝三甲胺加合物[(C2H5)2AIH(CH3)3N]、三乙胺铝烷[A1H3N(CH3)3]。主要用于MOCVD生长A1GaAs，A1GalnP，用作高速光电和数字器件。
CAS号：
性质：指用于金属有机化合物气相沉积(MOCVD)具有很高挥发性的有机铝及有机铝加合物的化合物。主要有三甲基铝[(CH3)3A1]、三乙基铝[(C2H5)3A1]、三异丁基铝[(C4H9)3A1]、二异丁基氢化铝[(C4H9)2A1H]、二甲基氢化铝[(CH3)2A1H]、二甲基氢化铝三甲胺加合物[(CH3)2A1HN(CH3)3]、二乙基氢化铝三甲胺加合物[(C2H5)2AIH(CH3)3N]、三乙胺铝烷[A1H3N(CH3)3]。主要用于MOCVD生长A1GaAs，A1GalnP，用作高速光电和数字器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。